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V62C1161024L-120T 参数 Datasheet PDF下载

V62C1161024L-120T图片预览
型号: V62C1161024L-120T
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内容描述: 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 121 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1161024L(L)  
Timing Waveform of Write Cycle 1 (Address Controlled)  
tWC  
Address  
tAW  
tWR (5)  
tCW (3)  
CE  
tBW  
BLE/BHE  
tAS (4)  
tWP (2)  
WE  
tDW  
tDH  
High-Z  
Data In  
tOHZ (6)  
tOW  
High-Z (8)  
Data Out  
Timing Waveform of Write Cycle 2 (CE Controlled)  
tWC  
Address  
tAW  
tWR (5)  
tCW (3)  
CE  
tAS (4)  
tBW  
BLE/BHE  
tWP (2)  
WE  
tDW  
tDH  
High-Z  
Data In  
tWHZ (6)  
tLZ  
High-Z  
High-Z (8)  
Data Out  
Timing Waveform of Write Cycle 3 (BLE/BHE Controlled)  
tWC  
Address  
tAW  
tWR (5)  
tCW (3)  
CE  
tAS (4)  
tBW  
BLE/BHE  
WE  
tWP (2)  
tDW  
tDH  
High-Z  
Data In  
Data Out  
tWHZ (6)  
tBLZ  
High-Z  
High-Z (8)  
6
REV. 1.1 April 2001 V62C1161024L(L)  
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