欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

V29C51001T-45J 参数 Datasheet PDF下载

V29C51001T-45J图片预览
型号: V29C51001T-45J
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
分类和应用: 内存集成电路
文件页数/大小: 16 页 / 77 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
 浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51001T-45J的Datasheet PDF文件第9页  
MO SEL VITELIC  
V29C51001T/V29C51001B  
AC Electrical Characteristics  
(over all temperature ranges)  
Read Cycle  
-45  
-70  
-90  
Parameter  
Name  
Parameter  
Min.  
45  
0
Max.  
Min.  
70  
0
Max.  
Min.  
90  
0
Max.  
Unit  
ns  
t
Read Cycle Time  
RC  
t
Address Access Time  
Chip Enable Access Time  
Output Enable Access Time  
CE Low to Output Active  
OE Low to Output Active  
45  
70  
90  
ns  
AA  
t
45  
70  
90  
ns  
CE  
t
25  
35  
45  
ns  
OE  
t
ns  
CLZ  
t
0
0
0
ns  
OLZ  
t
Output Enable or Chip Disable to Output  
in High Z  
0
15  
0
20  
0
30  
ns  
DF  
t
Output Hold from Address Change  
0
0
0
ns  
OH  
Program (Erase/Program) Cycle  
Parameter  
-45  
-70  
-90  
Name  
Parameter  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. Unit  
t
Program Cycle Time  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
CE Setup Time  
45  
0
2
20  
10  
70  
0
2
20  
10  
90  
0
2
20  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
µs  
ms  
sec  
WC  
t
AS  
t
35  
0
45  
0
45  
0
AH  
t
CS  
t
CE Hold Time  
0
0
0
CH  
t
OE Setup Time  
0
0
0
OES  
t
OE High Hold Time  
WE Pulse Width  
WE Pulse Width High  
Data Setup Time  
Data Hold Time  
0
0
0
OEH  
t
25  
20  
20  
0
35  
35  
25  
0
45  
38  
30  
0
WP  
t
WPH  
t
DS  
t
DH  
t
t
t
Programming Cycle  
Sector Erase Cycle  
Chip Erase Cycle  
WHWH1  
WHWH2  
WHWH3  
V29C51001T/V29C51001B Rev. 0.8 October 2000  
5