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    V29C51001B-45T 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51001B-45T图片预览
    型号： V29C51001B-45T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1兆位131,072 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [1 MEGABIT 131,072 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用： 内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 16 页 / 77 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第13页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第14页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第15页浏览型号V29C51001B-45T的Datasheet PDF文件第16页  
    MO SEL VITELIC  
    V29C51001T/V29C51001B  
    Byte Program Algorithm  
    Chip/Sector Erase Algorithm  
    Write Program  
    Write Erase  
    Command Sequence  
    Command Sequence  
    Add/Data  
    Add/Data  
    5555H/AAH  
    5555H/AAH  
    2AAAH/55H  
    5555H/A0H  
    PA/PD  
    2AAAH/55H  
    5555H/80H  
    5555H/AAH  
    2AAAH/55H  
    Four Bus  
    Cycle  
    Sequence  
    Six Bus  
    Cycle  
    Sequence  
    DATA Polling (I/O7)  
    or Toggle Bit (I/O6)  
    5555H/10H (Chip Erase)  
    PA/30H (Sector Erase  
    No  
    Verify Byte?  
    Yes  
    DATA Polling or Toggle Bit  
    Successfully Completed  
    Programming  
    Completed  
    Erase Complete  
    51001-14  
    V29C51001T/V29C51001B Rev. 0.8 October 2000  
    12  

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