三菱HVIGBT模块
CM2400HC-34N
第四-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
op
T
英镑
V
ISO
t
PSC
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大功率耗散
结温
工作温度
储存温度
隔离电压
最大短路脉冲
宽度
V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
T
C
= 75°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
条件
评级
1700
±20
2400
4800
2400
4800
13100
–40 ~ +150
–40 ~ +125
–40 ~ +125
4000
10
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
V
µs
（注1 ）
（注1 ）
RMS ，正弦， F = 60Hz的， T = 1分。
V
CC
= 1200V, V
CES
≤
1700V, V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
电气特性
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
V
统（注2）
t
D（上）
t
r
E
on
t
D（关闭）
t
f
E
关闭
t
RR （注2 ）
I
RR （注2 ）
Q
RR （注2 ）
E
录制（注2）
注： 1 。
2.
3.
4.
项
集电极截止电流
栅极 - 射极
阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
导通延迟时间
开启上升时间
导通开关能量
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
关断开关能量
反向恢复时间
反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
I
C
= 240毫安，V
CE
= 10V ，T
j
= 25°C
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V ，T
j
= 25°C
I
C
= 2400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 2400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
V
CE
= 10V ， F = 100kHz的
V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
E
= 2400A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C
（注4 ）
I
E
= 2400A ，V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C
（注4 ）
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A ，V
GE
=
±15V
R
G（ ON）的
= 0.7Ω, T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A ，V
GE
=
±15V
R
G（ OFF）
= 1.6Ω, T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 100nH的
感性负载
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A ，V
GE
=
±15V
R
G（ ON）的
= 0.7Ω, T
j
= 125 ℃下，L-
s
= 100nH的
感性负载
民
—
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
7.0
—
2.15
2.40
352
19.2
5.6
13.6
2.60
2.30
1.00
0.40
640
1.20
0.30
840
1.00
900
620
380
最大
8
8.0
0.5
2.80
—
—
—
—
—
3.30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
µC
V
µs
µs
兆焦耳/脉冲
µs
µs
兆焦耳/脉冲
µs
A
µC
兆焦耳/脉冲
（注4 ）
（注4 ）
脉冲宽度和重复速率应使得结点温度（T
j
）不超过牛逼
opmax
评级（ 125°C ） 。
各符号表示的反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
结温（T
j
）不应超过牛逼
JMAX
评级（ 150 ° C） 。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
2005年7月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
