M
RELI
P
化。焊割。
cifica
c
人SPE按照对
鳍
不是它有s
是是RIC廉
E：钍
t
通知帕拉梅
m
So
Y
INAR
三菱HVIGBT模块
CM2400HC-34H
高功率开关使用
绝缘型
第三-版HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
最大额定值
（ TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
DC ，T
C
= 80°C
脉冲
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
条件
评级
1700
±20
2400
4800
2400
4800
17800
–40 ~ +150
–40 ~ +125
4000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板， RMS ，正弦， 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
项
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 240毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 2400A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 850V ，我
C
= 2400A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 0.27Ω
阻性负载开关操作
I
E
= 2400A ，V
GE
= 0V
I
E
= 2400A,
模具/ DT = -5800A /
µs
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
5.5
—
2.60
3.20
210
27.0
10.8
19.8
—
—
—
—
2.60
—
900
—
—
0.006
最大
36
6.5
0.5
—
—
—
—
—
—
1.60
2.00
2.70
0.80
—
2.70
—
0.007
0.012
—
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
µC
µs
µs
µs
µs
V
µs
µC
K / W
K / W
K / W
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
总栅极电荷
Q
G
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注2）
发射极 - 集电极电压
t
RR （注2 ）
反向恢复时间
Q
RR （注2 ）
反向恢复电荷
R
日（J -C ） Q
热阻
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
接触热阻
注： 1 。
2.
3.
4.
（注4 ）
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2003年3月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
