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CM200DU-24NFH_09 参数 Datasheet PDF下载

CM200DU-24NFH_09图片预览
型号: CM200DU-24NFH_09
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE]
分类和应用: 开关双极性晶体管高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM200DU-24NFH
高功率开关使用
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E(注1 )
I
EM (注1 )
P
C(注3 )
P
C
(注3)
T
j
T
英镑
V
ISO
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
G- ê短
C- ê短
手术
脉冲
手术
脉冲
T
C
= 25°C
T
C
’ = 25°C
*4
条件
(注2 )
(注2 )
(注2 )
(注2 )
终端底板, F = 60Hz的, AC 1分钟
主端子螺钉M6
M6安装螺钉
典型的价值
评级
1200
±20
200
400
200
400
830
1300
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
3.5 ~ 4.5
3.5 ~ 4.5
400
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
电气特性
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注1 )
Q
RR (注1 )
V
EC (注1 )
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
R
R
TH( C-F )
R
日( J- C' )
Q
R
日( J- C' )
R
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A
V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω ,感性负载
I
E
= 200A
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
IGBT的一部分(1/2模块)
FWDI部分(1/2模块)
案件散热片,热复合应用
*2
( 1/2模块)
IGBT的一部分(1/2模块)
FWDI部分(1/2模块)
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
4.5
1.6
范围
典型值。
6
5.0
5.0
900
7.5
0.04
马克斯。
1
7.5
0.7
6.5
32
2.7
0.6
300
80
500
150
250
3.5
0.15
0.24
0.095
*3
0.14
*3
16
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
V
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
*4
外部栅极电阻
*
1 :外壳温度(T
C
)测点显示在页面外形图。
*
2 :典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / (米• K) ] 。
*
3 :如果使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
*
4 :外壳温度(T
C
')测量点就是芯片下。
注1.我
E
, I
EM
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI )的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温(T
j
)不应增加超过150℃。
4.无短路能力的设计。
2009年2月
2