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CM200HA-24H 参数 Datasheet PDF下载

CM200HA-24H图片预览
型号: CM200HA-24H
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内容描述: 大功率开关使用绝缘型 [HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE]
分类和应用: 晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网高功率电源超快速恢复二极管
文件页数/大小: 4 页 / 45 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM200HA-24H
高功率开关使用
绝缘型
绝对最大额定值,T
j
= 25
°
C除非另有说明
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压(G -E SHORT )
栅极 - 发射极电压(C -E SHORT )
集电极电流(T
c
= 25°C)
峰值集电极电流(T
j
150°C)
发射极电流** (T
c
= 25°C)
峰值发射极电流**
最大集电极耗散(T
c
= 25°C)
安装扭矩, M6主要终端
安装扭矩, M6安装
安装扭矩, M4终端
重量
隔离电压(主候机楼至底座, AC 1分钟)
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
V
ISO
CM600HU-12H
-40至150
-40至125
1200
±20
200
400*
200
400*
1500
1.96~2.94
1.96~2.94
0.98~1.47
400
2500
单位
°C
°C
安培
安培
安培
安培
N·m的
N·m的
N·m的
VRMS
*脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度(T
j
)不超过牛逼
J(下最大)
投资评级。
**表示在反平行的特点,发射极 - 集电极续流二极管( FWDI ) 。
静态电气特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 150°C
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
分钟。
4.5
典型值。
6.0
2.5
2.25
1000
马克斯。
1.0
0.5
7.5
3.4**
3.4
单位
mA
µA
nC
**脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
动态电气特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
I
E
= 200A ,二
E
/ DT = -400A / μs的
I
E
= 200A ,二
E
/ DT = -400A / μs的
V
CC
= 600V ,我
C
= 200A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V ,R
G
= 1.6Ω
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V
测试条件
分钟。
典型值。
1.49
马克斯。
40
14
8
250
400
300
350
250
单位
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
ns
µC
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
热和机械特性,T
j
= 25
°
C除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
热阻,结到外壳
接触热阻
符号
R
日(J -C )
R
日(J -C )
R
TH( C-F )
测试条件
每个IGBT
每FWDI
每个模块,散热膏的应用
分钟。
典型值。
马克斯。
0.085
0.18
0.040
单位
° C / W
° C / W
° C / W
Sep.1998