三菱IGBT模块
CM200DY-12NF
高功率开关使用
最大额定值
（ TJ = 25 ° C）
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注1 ）
I
EM （注1 ）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
—
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
抗扭强度
重量
G- ê短
C- ê短
DC ，T
C
’ = 93°C
*3
脉冲
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
200
400
200
400
650
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
g
（注2 ）
（注2 ）
主航站楼到基板上， AC 1分钟。
主航站楼M5
安装孔M6
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25 ° C）
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
RR （注1 ）
Q
RR （注1 ）
V
EC （注1 ）
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
R
R
TH（ C-F ）
R
日（ J- C' ）
Q
R
G
参数
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
发射极 - 集电极电压
热阻
*1
接触热阻
热阻
外部栅极电阻
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 20mA时， V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 3.1Ω ，电感性负载切换操作
I
E
= 200A
I
E
= 200A ，V
GE
= 0V
IGBT的一部分（1/2模块）
FWDI部分（1/2模块）
案例鳍，热复合应用
*2
（ 1/2模块）
TC测量点就是芯片下
分钟。
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.1
范围
典型值。
—
6
—
1.7
1.7
—
—
—
800
—
—
—
—
—
3.5
—
—
—
0.07
—
—
马克斯。
1
7.5
0.5
2.2
—
30
3.7
1.2
—
120
120
300
300
150
—
2.6
0.19
0.35
—
0.13
*3
31
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
V
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
Ω
*
1 ：TC测量点显示在页面外形图。
*
2 ：典型值是通过使用信越有机硅的“G -746 ”测定。
*
3 ：TC '测量点就是芯片下。
如果您使用此值，R
TH（ F-一）
只是在芯片下应测量。
注1.我
E
, V
EC
, t
rr
& Q
rr
代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ）的特性。
2.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
3.结温（T
j
）不应增加超过150℃。
Mar.2003
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
