三菱IGBT模块
CM15MD3-12H
中功率切换使用
FLAT- BASE型，绝缘型
电气特性
逆变部分
符号
I
CES
参数
(T
j
= 25°C)
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 1.5毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 15A ，V
GE
= 15V
T
j
= 150°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 15A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 15A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 42Ω
阻性负载
I
E
= 15A ，V
GE
= 0V
I
E
= 15A ，V
GE
= 0V
di
e
/ DT = - 30A /
µs
IGBT部分，每1/6模块
FWDI部分，每1/6模块
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
极 - 发射极截止电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
总栅极电荷
Q
G
导通延迟时间
t
D（上）
开启上升时间
t
r
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注1）的
发射极 - 集电极电压
t
RR （注1）的
反向恢复时间
Q
RR （注1）的
反向恢复电荷
R
日（J -F ）
Q
（注5）
热阻
R
日（J -F ）
R
（注5）
分钟。
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
—
6
—
2.1
2.15
—
—
—
45
—
—
—
—
—
—
0.04
—
—
马克斯。
1
7.5
0.5
2.8
—
1.5
1.2
0.3
—
120
300
200
300
2.8
110
—
2.8
3.5
单位
mA
V
µ
A
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
µ
C
° C / W
° C / W
（注4）的
转换器部分
符号
参数
V
R
= V
RRM
, T
j
= 150°C
I
F
= 25A
每1/4模块
条件
分钟。
—
—
—
范围
典型值。
—
—
—
马克斯。
8
1.6
3.6
单位
mA
V
° C / W
重复反向电流
I
RRM
正向电压降
V
FM
R
号（j -f）的（注5）
热阻
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
I
E
, V
EC
, t
rr,
Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
耐热性在以下条件下指定。
•
导电油剂应用，模块和散热片之间。
•
Al板被用作散热片。
Feb.1999
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
