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CM1200HG-66H_09 参数 Datasheet PDF下载

CM1200HG-66H_09图片预览
型号: CM1200HG-66H_09
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内容描述: HVIGBT模块大功率开关使用绝缘型 [HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE]
分类和应用: 开关双极性晶体管高功率电源
文件页数/大小: 7 页 / 97 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱HVIGBT模块
CM1200HG-66H
第三-版HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
高功率开关使用
绝缘型
电容特性
(典型值)
10
3
7
5
栅极电荷特性
(典型值)
20
V
CE
= 1650V ,我
C
= 1200A
T
j
= 25°C
15
3
2
栅极 - 发射极电压( V)
C
IES
10
电容( NF)
10
2
7
5
3
2
5
0
10
1
7
5
3
2
C
OES
-5
C
水库
V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
F = 100KHz的
2 3
5 7
10
0
2 3
5 7
10
1
2 3
5 7
10
2
-10
10
0 -1
10
-15
0
5000
10000
15000
20000
集电极 - 发射极电压( V)
栅极电荷(
µC
)
半桥开关能量
特征
(典型值)
3
V
CC
= 1650V, V
GE
=
±15V
R
G
= 1.6Ω, T
j
= 125°C
感性负载
E
on
5
6
半桥开关能量
特征
(典型值)
V
CC
= 1650V ,我
C
= 1200A
V
GE
=
±15V,
T
j
= 125°C
感性负载
2.5
E
on
切换能(焦耳/ P)
2
切换能(焦耳/ P)
E
关闭
4
1.5
3
E
关闭
2
1
E
REC
0.5
1
E
REC
0
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
0
5
10
15
20
集电极电流( A)
栅极电阻(
)
HVIGBT (高压绝缘栅双极晶体管)模块
2009年5月
5