< IGBT模块>
CM1000DXL-24S
高功率开关使用
绝缘型
电气特性（续.;牛逼
j
= 25 ℃，除非另有规定）
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
25
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
项
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
T
C
=25 °C
(Note.2)
条件
范围
分钟。
4.85
-7.3
典型值。
5.00
-
3375
-
马克斯。
5.15
+7.8
-
10
单位
kΩ
%
K
mW
T
C
= 100℃ ，R
100
=493
Ω
通过近似公式
T
C
=25 °C
(Note.2)
(Note.6)
-
-
热阻特性
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）D
R
TH （ C- S）
项
热阻
(Note.2)
条件
结到管壳，每个逆变器的IGBT
结到外壳，每个逆变器FWDI
(Note.2)
范围
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
7
马克斯。
20
38
-
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
接触热阻
案件散热片，每次1个模块，
导热硅脂应用
(Note.7)
机械特性
符号
M
t
M
s
d
s
d
a
m
e
c
安装力矩
爬电距离
净空
重量
底板的平整度
项
主要终端
安装到散热器
终端到终端
终端底板
终端到终端
终端底板
-
上的中心线，X，Y
(Note.8)
条件
M 6螺丝
（M 5）螺杆
范围
分钟。
3.5
2.5
13.2
15.3
13.2
14.8
-
±0
典型值。
4.0
3.0
-
-
-
-
690
-
马克斯。
4.5
3.5
-
-
-
-
-
+100
单位
N·m的
N·m的
mm
mm
g
μm
注1 。代表的评分和反平行的，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ）的特性。
2.外壳温度（T
C
）和散热器温度（T
s
）是在每个表面（安装面定义的）基板和散热片的正下方
该芯片。是指芯片位置的数字。
散热器的热阻应该只是衡量芯片下。
3.脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
4.结温（T
j
）不应该增加超过牛逼
J·M一个X
投资评级。
5.脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
参阅测试电路的图。
R
1
1
6.
B
(
25
/
50
)
½
LN （
25
) /(
)
R
50
T
25
T
50
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 [℃] + 273.15 = 298.15 [K]的
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] + 273.15 = 323.15 [K]的
7.典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ=0.9
W / （M ·K ） 。
8.底板（安装侧）的平坦度的测量点（ x，y）是如下图的如下。
- ：凹
+ ：凸
X
Y
安装方
安装方
标签的一面
安装方
- ：凹
+ ：凸
出版日期： 2011年10月
3
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
