三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR8CM
中功率使用
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
100 (%)
3
2
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
I
FGT我
I
RGT我，
I
RGT III
10
–1
V
GD
= 0.2V
7
5
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
栅极电流（毫安）
V
GM
= 10V
P
G（ AV ）
= 0.5W
P
GM
= 5W
I
GM
= 2A
V
GT
= 1.5V
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
门极触发电流VS.
结温
典型的例子
I
RGT III
I
RGT我
I
FGT我
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳）
10
2
2 3 5 7 10
3
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
门极触发电压Vs
结温
100 (%)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
最大导通功率
耗散
通态功耗（ W）
16
外壳温度（ ° C）
14
12 360°
传导
10电阻式，
电感
8载荷
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
160
140
120
100
80
60
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角
360°
40传导
电阻式，
20 INDUCTIVE
负载
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
RMS通态电流（A ）
RMS通态电流（A ）
Feb.1999
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
