三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR30GM
中功率使用
绝缘型，玻璃钝化类型
BCR30GM
外形绘图
2
5.0分钟
39.2 MAX
20.2 MAX
尺寸
单位：mm
2-φ4.2
23.0MAX
3
20.1 MAX
21.6 MAX
30.0±0.2
7.0
7.0
8.25
6.35
2
1
3
1
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
φ2.0(T
1
,T
2
)
φ1.55(G)
7.95
6.35
1.5
•
•
•
•
•
I
T（ RMS ）
...................................................................... 30A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
........................................... 50毫安
V
ISO
........................................................................ 2200V
UL认证：文件编号E80276
3-φ1.3
TYPE
名字
电压
类
∗
LOT号
TB测试点
BCR30GM （ C型）
应用
非接触式的交流开关，调光器，
开/关和小的感应电动机的速度控制，对复印机的灯开/关控制，
微波炉
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
—
V
ISO
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
安装力矩
重量
隔离电压
M4螺丝
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电，
T
b
=60°C
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
2.6
评级
30
300
375
5
0.5
10
2
–40 ~ +125
–40 ~ +125
15
1.47
26
2200
商标
11最大
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
Kg‧cm
N·厘米
g
V
T
a
= 25 ° C， AC 1分钟，T
2
· T
1
· 3G终端基地
V1.
门敞开着。
Feb.1999
22.5最大
T
1
终奌站
迹象
门
终奌站
迹象
9.75
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
