三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR20A ， BCR20B ， BCR20C ， BCR20E
中功率使用
A，B ， C：非绝缘型，E ：绝缘型，玻璃钝化类型
最大额定值（继续）
符号
参数
BCR20A
—
重量（典型值）
BCR20B
BCR20C
BCR20E
—
—
V
ISO
焊接温度
安装力矩
隔离电压
只有BCR20A ，持续10秒。
只有BCR20C
BCR20E只，T
a
= 25 ° C， AC 1分钟，T
2
终端基地
条件
评级
3.5
9.0
9.0
11
230
30
2.94
1500
°C
Kg‧cm
N·m的
V
g
单位
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日（J -C ）
R
日（J -B ）
（ dv / dt的）
c
门非触发电压
热阻
临界速率的断态崛起
整流电压
门极触发
当前
V2
门极触发电压
V2
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
@
#
!
@
#
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
测试条件
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，T
b
= 25 ° C（ BCR20E只） ，我
TM
= 30A ，瞬时
测量
范围
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
3.0
1.5
1.5
1.5
1.5
30
30
30
—
1.1
2.4
—
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
° C / W
° C / W
V / μs的
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6Ω, R
G
=330Ω
—
—
—
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6Ω, R
G
=330Ω
—
—
0.2
—
—
V3
结到外壳（ BCR20A ， BCR20B ， BCR20C ）
结到基地（ BCR20E ）
V2.
测量使用的门极触发特性测量电路。
V3.
临界速率的关断状态的换向电压的上升示于下表中。
电压
类
V
DRM
(V)
（ dv / dt的）
c
符号
R
分钟。
—
1.结温
T
j
=125°C
L
10
V / μs的
R
—
对国家衰败2.率commutat-
目前ING
（ di / dt的）
c
=–10A/ms
3.峰值断态电压
V
D
=400V
L
10
单位
测试条件
整流电压和电流波形
（感性负载）
8
400
供应
电压
主流
主
电压
（ dv / dt的）C
（ di / dt的）C
时间
时间
时间
V
D
10
600
Feb.1999
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
