三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR16A ， BCR16B ， BCR16C ， BCR16E
中功率使用
A，B ， C：非绝缘型，E ：绝缘型，玻璃钝化类型
外形绘图
BCR16B
2 - φ3.2 MIN
20 MAX
尺寸
单位：mm
BCR16C
2 - φ3.2 MIN
BCR16E
5.3最大
20 MAX
21最大
Feb.1999
22马克斯
1
3
23±0.2
33最大
(16.2)
1
φ2.5
民
φ2.0
民
16 MAX
14
2
1
T
1
终奌站
2
T
2
终奌站
3
栅极端子
3
φ2.0
民
15.5 MAX
1
3
φ2.0
民
10 MAX 16 MAX
1.9最大
(φ16)
23±0.2
φ33
最大
2
8.5最大
3分钟
21最大
1
φ2.0
民
1.8
最大
10 MAX
1.8最大
8最大
20.5 MAX
φ8.7
最大
φ8.7
最大
3
φ8.7
最大
2
M6×1.0
2
性能曲线
最大通态特性
浪涌通态电流（A）
额定浪涌通态电流
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
通态电流（A ）
10
3
7 T
C
= 25°C
5 T
b
= 25°C
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2 3.6 4.0 4.4
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3 V
GT
= 1.5V
2
10
0
7
5
3
2
P
GM
= 5.0W
I
GM
= 2A
门极触发电流•电压（T
j
= T ° C）
门极触发电流•电压（T
j
= 25°C)
3
2 V
GM
= 10V
P
G（ AV ）
= 0.5W
100 (%)
GATE特性
门极触发电流·电压Vs
结温
200
测试程序
Ι, ΙΙ
和
ΙΙΙ
180
160
140
120
100
80
60门极触发
电压
40
20
0
–40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
结温（ ° C）
门极触发电流
I
FGT我，
I
RGT我，
I
RGT III
V
GD
= 0.2V
10
–1
7
5
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
栅极电流（毫安）
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
