MT8981D
ISO- CMOS
绝对最大额定值*
参数
1
2
3
4
5
6
V
DD
- V
SS
在数字输入电压
在数字输出电压
目前，在数字输出
储存温度
封装功耗
V
I
V
O
I
O
T
S
P
D
-65
符号
民
-0.3
V
SS
-0.3
V
SS
-0.3
最大
7
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
40
+150
2
单位
V
V
V
mA
°C
W
.
*超过这些数值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
- 电压是相对于地面（V
SS
），除非另有说明。
特征
1
2
3
工作温度
正电源
输入电压
符号
T
OP
V
DD
V
I
民
-40
4.75
0
典型值
‡
最大
+85
5.25
V
DD
单位
°C
V
V
测试条件
‡典型的数字是在25 ° C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
DC电气特性
- 电压是相对于地面（V
SS
），除非另有说明。
特征
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
O
U
T
P
U
T
S
I
N
P
U
T
S
电源电流
输入高电压
输入低电压
输入漏
输入引脚电容
输出高电压
输出高电流
输出低电压
输出低电流
高阻抗漏
输出引脚电容
符号
I
DD
V
IH
V
IL
I
IL
C
I
V
OH
I
OH
V
OL
I
OL
I
OZ
C
O
8
5
10
5
2.4
10
15
0.4
8
2.0
0.8
5
民
典型值
‡
6
最大
10
单位
mA
V
V
µA
pF
V
mA
V
mA
µA
pF
I
OH
= 10毫安
采购。 V
OH
=2.4V
I
OL
= 5毫安
下沉。 V
OL
= 0.4V
V
O
V之间
SS
和V
DD
V
I
V之间
SS
和V
DD
测试条件
输出空载
‡典型的数字是在25 ° C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
测试点
R
L
S1
C
L
V
SS
V
DD
S1开路除
测试输出电平，当
或高阻抗状态。
S2被切换到V
DD
or
V
SS
测试时输出
平或高阻抗
状态。
产量
针
S2
V
SS
图11 - 输出负载测试
2-26
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