ISO
2
-CMOS
绝对最大额定值*
参数
1
直流电源电压
MT8960/61/62/63/64/65/66/67
符号
V
DD
-GNDD
V
EE
-GNDD
V
REF
V
X
除了CA
CA
民
-0.3
-6.0
GNDA
V
EE
GNDD-0.3
V
EE
-0.3
GNDD-0.3
V
EE
-0.3
V
EE
-0.3
-55
最大
+6.0
+0.3
V
DD
V
DD
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
V
DD
+0.3
20
+125
500
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
°C
mW
2
3
4
参考电压
模拟量输入
数字输入
5
输出电压
SD
0-2
SD
3
SD
4-5
6
7
8
目前的任何引脚
储存温度
在25℃时的功耗
（减免16毫瓦/°C， 75°C以上）
I
I
T
S
P
DISS
*超过这些数值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
-
电压是相对于GNDD除非另有说明
特征
1
电源电压
符号
V
DD
V
EE
V
REF
2
电压在数字地
VGNDD
民
4.75
-5.25
典型*
5.0
-5.0
2.5
最大
5.25
-4.75
单位
V
V
V
评论
见注1
参考文献。到GNDA
参考文献。以GNDA最大为400ns 。
持续时间125微秒周期
-0.1
-0.4
0.0
0.0
+0.1
+0.4
+70
VDC
VAC
°C
mA
mA
µA
3
4
工作温度
工作电流
V
DD
V
EE
V
REF
V
DD
V
EE
T
O
I
DD
I
EE
I
REF
I
DDO
I
EEO
0
3.0
3.0
2.0
0.25
0.25
4.0
4.0
在V所有数字输入
DD
或GNDD （或V
EE
对于CA ）
平均电流
在V所有数字输入
DD
或GNDD （或V
EE
对于CA ）
5
待机电流
1.0
1.0
mA
mA
注1 ：
V温度COEF网络cient
REF
应该比100 PPM / ℃。
DC电气特性
- 电压是相对于GNDD ，除非另有说明。
T
A
= 0至70℃ ，V
DD
=5V±5%, V
EE
=-5V±5%, V
REF
= 2.5V ±0.5％ ， GNDA = GNDD = 0V ，时钟频率= 2.048MHz的。卸载，除非输出
另有规定ED 。
特征
1
D
I
G
I
T
A
L
输入电流
除了CA
CA
2
输入低
电压
除了CA
CA
符号
I
I
I
IC
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IIC
I
0Z
0.0
V
EE
2.4
0.0
±0.1
10.0
民
典型*
最大
10.0
10.0
0.8
V
EE
+1.2
单位
µA
µA
V
V
V
V
µA
µA
测试条件
V
IN
= GNDD到V
DD
V
IN
= V
EE
到V
DD
3
4
5
输入高电压所有输入
输入中间CA
电压
输出漏
电流（三态）
DSTO
SD
3-5
5.0
0.8
输出高阻抗
*典型的数字是在25 ℃的标称±5V电源。对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
6-29
MITEL [ MITEL NETWORKS CORPORATION ]
