ISO
2
-CMOS
绝对最大额定值
†
参数
1
2
3
4
5
直流电源电压
任何引脚电压
目前在任一引脚（除电源外）
储存温度
封装功耗
符号
V
DD
V
I
I
I
T
英镑
P
D
MT8870D/MT8870D-1
民
最大
7
单位
V
V
mA
°C
mW
V
SS
-0.3
V
DD
+0.3
10
-65
+150
500
‡超过这些数值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
减免上述75 ℃，在16毫瓦/ ℃。所有的焊接引线登机。
推荐工作条件
-
电压相对于地（Ⅴ
SS
），除非另有说明。
参数
1
2
3
4
直流电源电压
工作温度
晶振/时钟频率
晶振/时钟Freq.Tolerance
符号
V
DD
T
O
fc
= FC
民
4.75
-40
3.579545
典型值
‡
5.0
最大
5.25
+85
单位
V
°C
兆赫
%
测试条件
±0.1
‡典型的数字是在25 ° C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
DC电气特性
-
V
DD
=5.0V± 5%, V
SS
= 0V ， -40°C
≤
T
O
≤
+ 85℃ ，除非另有说明。
特征
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
O
U
T
P
U
T
S
I
N
P
U
T
S
S
U
P
P
L
Y
符号
I
DDQ
I
DD
P
O
V
IH
V
IL
I
IH
/I
IL
I
SO
I
SI
R
IN
V
TST
V
OL
V
OH
I
OL
I
OH
V
REF
R
OR
民
典型值
‡
10
3.0
15
最大
25
9.0
单位
µA
mA
mW
V
测试条件
PWDN = V
DD
待机电源电流
工作电源电流
耗电量
输入高电平
低电平输入电压
输入漏电流
上拉（来源）电流
下拉（汇）电流
输入阻抗（IN + ， IN- ）
督导阈值电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输出低电平（漏）电流
输出高（资料来源）电流
V
REF
输出电压
V
REF
输出电阻
FC = 3.579兆赫
V
DD
=5.0V
V
DD
=5.0V
V
IN
=V
SS
或V
DD
TOE （引脚10 ） = 0 ，
V
DD
=5.0V
INH = 5.0V ， PWDN = 5.0V ，
V
DD
=5.0V
@ 1千赫
V
DD
= 5.0V
空载
空载
V
OUT
=0.4 V
V
OUT
=4.6 V
无负载，V
DD
= 5.0V
3.5
1.5
0.1
7.5
15
10
2.2
2.4
2.5
V
SS
+0.03
V
DD
-0.03
1.0
0.4
2.3
2.5
0.8
2.5
1
2.7
20
45
V
µA
µA
µA
MΩ
V
V
V
mA
mA
V
kΩ
‡典型的数字是在25 ° C和对于辅助设计只有：不保证不受生产测试。
4-17
MITEL [ MITEL NETWORKS CORPORATION ]
