MT8840
ISO
2
-CMOS
绝对最大额定值*
参数
1
2
3
4
5
电源电压
任何引脚电压
目前的任何引脚
储存温度
封装功耗
符号
V
DD
-V
SS
V
最大
I
最大
T
S
P
DISS
-65
民
-0.3
V
SS
-0.3
最大
+7.0
V
DD
+0.3
20
+150
850
单位
V
V
mA
°C
mW
*超过这些额定值可能会造成永久性的损害。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。
推荐工作条件
参数
1
2
3
4
5
6
7
工作温度
负载电容（ TXO ）
负载电阻（ TXO ）
工作电源电流
工作电源电压
符号
V
DD
V
REF
I
DD
I
REF
T
O
C
L
R
L
10
0
民
4.75
典型值
5
0.4V
DD
2.5
5.0
200
+85
50
最大
5.25
单位
V
V
mA
µA
°C
pF
KΩ
直流特性 -
V
DD
= 5.0 V ± 5%
特征
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
A
N
A
L
O
G
I
/
O
I
/
O
D
I
G
I
T
A
L
输入电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
输出驱动电流
V
SS
= 0V T = 0 - 85
o
C（所有电压参考V
SS
/ GND）
符号
I
IN
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
OL
I
OH
I
IN
R
IN
民
典型值
最大
±10
单位
µA
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
测试条件
V
IN
= 0至V
DD
0
3.5
4.6
0.4
0.1
0.4
0.1
1.5
5.0
0.4
I
OL
= 0.4毫安
I
OH
= 0.4毫安
V
OL
= 0.4V
V
OH
= 4.6V
V
IN
= 0〜 5.0V
N沟道汇（除OSC2 ）
OSC2
P沟道源（除OSC2 ）
OSC2
输入电流（ RXI ， FATC ）
输入电阻（ FATC ）
（ DET到V
DD
)
（ DET到V
REF
)
输入电容（ RXI ）
（ FATC ）
所有数字输入
输出电阻（ TXO ）
（ TCO）的
（ TCO）的
输出失调电压（ TXO ）
输出电压（ DET ）
±10
500
170
23
µA
KΩ
KΩ
KΩ
pF
pF
C
IN
50
10
5.0
7.5
pF
Ω
KΩ
KΩ
MTC = 0
MTC = 1
见注1
R
O
100
3
30
V
O
V
O
2.20
±25
2.36
±200
2.55
mV
V
注意事项：
1.指定电压由内部产生，并与连接到DET无需外部元件测量
5-8
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