初步信息
应用
如图所示，在应用程序图，图7，图中
振铃电压，通常为80 V
RMS
25Hz的偏置
-VBAT ，是通过施加到所述用户线
外部继电器， K1 ， K1是DPST 2个C ， EM
（电 - 机械式）继电器进行切换保护
二极管D3和D4出来时被切换在振铃，
K1是通过将一个逻辑低电平，以使能
继电器驱动器控制输入， RNGC 。
一个额外的继电器驱动器被设置来控制在/
出测试总线继电器， K2 。 K2是DPST 2个C ， EM
这是通过将一个逻辑低电平使继电器
到中继驱动器控制的输入。
MH88620BR
保护电路，用于对MH88620BR ，如图所示
在图7中，由PTC1 ， PTC2和夹紧
二极管D1至D4 。在故障条件下，二极管
夹紧OVERVOLT地面和-VBAT 。 PTC1和
PTC2电流限制他们的阻力增大
所引起的过电压的电力消耗/
过流条件。理由是D1和D3
被连接到，必须是EDG （能量倾倒
地面），其是连接到所述机架或系统
地面上。这是从LPGND或一个单独的导体
AGND就行了显卡PCB 。 D2和D4进行
能量成-VBAT供给它是一个单独的
导体从-VBAT进料供应到SLIC组件。
在图8所示的功率MOSFET电路，可以
被用来转移通常倒入能源
-VBAT的EDG指挥。通常一个MOSFET
电路可用于16的SLIC或每个线路卡。
根据保护的附加水平
需要， PRO1和/或PRO2保护者可以是
使用。这些被用来保护SLIC组件戒指
检测电阻器和/或铃流发生器，被
如果故障状况期间发生损坏
应用振铃线路。 PRO2可以
实现了用两个背靠背的齐纳二极管，
或等效transcient抑制器。
钳位电压应为>16伏直流和
<26Vdc 。 PRO2可以不依赖于所需
PRO1的值和功耗。
保护电路
主保护，免受雷击和AC线
故障，通常设在MDF （主
配电馈线），位于外部的
PABX或CO交换系统。主
保护电路通常采用5引脚
连接器和由任一碳块，同
火花隙（旧技术） ，气体排放限值
的高电压，以大约300至500伏
之前进入交换系统。次
保护，在切换系统时，需要对
进一步限制这些高电压/电流。次
保护每个线路卡上的正常实施
并旨在保护SLIC组件的永久
损害。基本的二次高压
MH88620BR
24
Z2
MH88620BR
24
Z2
23
MH88620BR
24
Z2
23
R
国内
8500
Ω
Z1
R
国内
8500Ω
Z1
外
0.22µF
国内
8500Ω
R
Z1
R
外
340Ω
A.
B.
C.
笔记
一），以适应使用2× 25Ω的PTC ，连接Z1和Z2一起，Z
in
= 900Ω
.
二）以适应使用的2× 8Ω的PTC ，连接340Ω Z1和Z2 = 900Ω之间。
三） ，以适应使用的2× 25Ω的PTC ，连接0.22μF Z1和Z2 = 900Ω + 2.2μF之间。
图3 - 输入阻抗（Z
in
）设置
2-153
MITEL [ MITEL NETWORKS CORPORATION ]
