0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2006年5月 - 修订版23月-06
CFS0303-SB
电气特性
参数
TA = 25℃ ，在测试系统测得的典型设备的射频参数。
测试条件
民
典型值
最大
单位
饱和漏极当前1
夹断电压1
没有RF ，静态偏置电流
Transconductance1
栅漏漏电流
栅极漏电流
噪声系数
相关的增益2
输出三阶截点
1分贝增益压缩点2
VDS = 1.5V ， VGS = 0V
智能决策支持系统VDS = 1.5V ， IDS = 10 ％
VGS = 0.45V ， VDS = 2V
VDS = 2.5V 。通用汽车公司的Idss = / VP
VGD = 5
VGD = VGS = -4V
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=1000MHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
f=2GHz
VDS = 2V ，IDS = 10毫安
VDS = 2V ，IDS = 20mA下
VDS = 3V ， IDS = 20mA下
VDS = 3V ，IDS = 60毫安
120
-0.8
190
165
-0.65
60
250
10
0.3
0.35
0.3
0.18
0.4
0.37
0.4
0.26
19.7
20.8
21.1
22.4
14.6
15.5
15.7
16.8
22.5
24.5
26.5
32.0
23.0
25.5
27.0
32.5
12.5
12.5
16.0
17.0
12.5
12.5
16.0
17.0
200
-0.5
250
150
0.7
0.53
0.8
0.61
13.1
16.1
15.3
18.3
24.0
24.5
14.0
14.0
mA
V
mA
mmho
µA
µA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
注意事项：
1.保证在晶圆探针。
在固定调谐系统获得2.测量。
绝对最大额定值
1
参数
等级
参数
等级
参数
等级
漏源电压2
栅源电压2
栅极 - 漏极电压2
+5.5 V
-5.0 V
-5.0 V
漏电流2
RF输入功率
智能决策支持系统[3] A
17 dBm的
通道温度
储存温度
热阻
+175ºC
-65 ° C至+ 160°C
98ºC/W
总压水堆耗散560毫瓦
注意事项：
1.操作此设备的上面这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损害
2.假设DC静态条件。 RF OFF 。
3. VGS = 0V
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页2
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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