CSW0118-BD
绝对最大额定值
参数
等级
先进的产品信息 - 2003年9月
（ 3之2 ）
芯片粘接和粘接过程
模具附件：
共晶芯片粘接建议。对于eutec-
TIC芯片附着：瓶胚：金锡（ 80 ％金， 20 ％ Sn）的;舞台
温度： 290℃ ±5 ℃;搬运工具：镊子;时间： 1
分钟以下。
引线键合：
线材规格： 0.7〜 1.0密耳直径（前
强调） ;热压或热超声键合是
可以接受的。对于热压粘合：第一阶段
温度： 250 ℃;焊头温度： 150 ℃;合
提示压力：取决于电线的大小18 〜40克。
输入功率（Pin ）
≥
+30 dBm的
控制电压（ VCTRL ）
-10 V （最小） 0.0V （最大）
工作通道温度
+150°C
安装温度
+320°C
储存温度
-65 ° C至+ 150°C
偏置和操作
不施加电压，需要在射频输入或RF输出
端口打开开关“ON”。该控制电压的
通过路径所需的，以便把该应设置为0.0V
腿的开关的“ON”。分离的路径的控制电压
应该被设置为一个负电压超过-1.5V （更neg-
ative比-1.5V ） 。作为分离的路径控制的电压
压垫采取更消极的隔离将提高
到-7.0V的电压极限。请参阅下面的真值表
对于如何设置贯通路径和异的说明
开关迟来路径。
真值表
VCNTRL 1
VCNTRL 2
路径1
路径2
-2.0V
0.0V
0.0V
-2.0V
关闭
ON
ON
关闭
原理图
uu
uu
RF OUT 1
在RF
RF OUT 2
VCNTRL 1
VCNTRL 2
在RF
键合图
直流阻挡电容器
C2
代号
C1, C2, C3, C4, C5
R1, R2
直流阻挡电容器
C1
C3
直流阻挡电容器
RF OUT 1
R1
VCNTRL 1
C4
C5
R2
VCNTRL 2
3236斯科特大道，加利福尼亚州圣克拉拉市95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
uu
uu
价值
47pF
100Ω
RF OUT 2
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
