2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
缓冲放大器
2007年5月 - 修订版01月-07
CMM4000-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图,此设备使用一个自偏置体系结构,只需要一个排水
偏见。偏见是名义上VD = 5V , I = 115毫安。此外,还有在芯片上,13个,12个和8.5欧姆三个源电阻。其中之一必须是
结合到地面。通常为12欧姆接合到地,如图达到的性能。粘结到或1的其他电阻器的任何或
所有的并行可允许额外的性能调整。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫( VD)需要有DC旁路电容( 〜 100〜200 pF)的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容( 0.01 〜 UF)还建议。
MTTF图
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
CMM4000 -BD VD = 5.0 V ,ID = 110毫安
1.0E+09
1.00E+01
CMM4000 -BD VD = 5.0 V ,ID = 110毫安
1.0E+08
平均无故障时间(小时)
1.00E+00
1.0E+07
FITS
1.00E-01
1.0E+06
1.00E-02
1.0E+05
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度(摄氏度)
1.00E-03
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度(摄氏度)
CMM4000 -BD VD = 5.0 V ,ID = 110毫安
170
160
150
TCH ( ℃)
140
130
120
110
100
90
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度(摄氏度)
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