30.0 kHz至30.0 GHz的砷化镓MMIC
分布式放大器
2010年5月 - 修订版07月10
CMM2030-BD
芯片设备布局
特点
超宽带驱动放大器
低增益波动
正增益斜率
12.0分贝小信号增益
16.0 dBm的P1dB压缩点
27.0 dBm的三阶截取
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的分布式30 kHz至30 GHz的砷化镓
MMIC分布式放大器的小信号增益
12.0分贝了16.0 dBm的P1dB的输出压缩
点。这MMIC采用MIMIX宽带的砷化镓
PHEMT器件的模型技术，并基于
电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金允许擦屁股
无论是导电环氧树脂或共晶焊死
重视过程。该装置很适合于测试
仪器仪表，军工，航天，微波
点至点收音机， SATCOM和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
1
12.0 VDC
375毫安
-5V
23.0 dBm的
-65〜 + 165 ºC
-55至+85°C
+175 ºC
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
3
输出回波损耗（ S22 ）
3
小信号增益（ S21 ）
3
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
2
输出三阶互调（ OIP3 ）
2
饱和输出功率（ PSAT ）
2
漏极偏置电压（VD ）
栅极偏置电压（ VG）
电源电流（ ID）（ VD = 5.0V ， V G = -0.5V典型）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VDC
VDC
mA
分钟。
0.00003
10.0
10.0
9.0
-
-
-
-
-
-
-1.5
-
典型值。
-
15.0
18.0
12.0
+/-1.0
35.0
+16.0
+27.0
+19.0
5.0
-0.5
100
马克斯。
30.0
-
-
-
-
-
-
-
-
8.0
0.0
150
100 ％的晶片直流测试和100％的RF晶片资格。晶圆资格包括来自每个象限测试样品
有80 ％的合格率要求。
（ 2 ）可选的高功率偏置VD = 8.0V通常会产生2-3分贝增加的P1dB ， PSAT和OIP3 。
（3）除非另有说明，最小/最大。在2.0-30.0 GHz和偏见，在VD = 5.0V 。
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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