2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
2007年5月 - 修订版01月-07
CMM1110-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，此设备使用一个自偏置体系结构，只需要一个排水
偏见。偏置名义上是Vd的（ 1,2 ） = 8V ， ID（总） = 70毫安。此外，还有在芯片上一共有6个源电阻。三个电阻对输入
级是15，20和32欧姆。三个电阻上的输出级是15，20和32欧姆。其中的一个必须被接合到接地以便
如所示的每个放大级来实现性能。粘结到的其他电阻器或任何或所有并联1可以允许附加
性能调整。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF图
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
CMM1110 -BD VD = 8.0 V ，ID = 70毫安
1.0E+09
1.00E+00
CMM1110 -BD VD = 8.0 V ，ID = 70毫安
1.0E+08
平均无故障时间（小时）
1.00E-01
1.0E+07
FITS
1.00E-02
1.00E-03
1.0E+06
1.0E+05
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
CMM1110 -BD VD = 8.0 V ，ID = 70毫安
160
150
140
TCH （ ℃）
130
120
110
100
90
80
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
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