2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
2007年5月 - 修订版01月-07
CMM1110-BD
芯片设备布局
特点
自偏压架构
15.0分贝小信号增益
3.2分贝噪声系数
13.0 dBm的P1dB压缩点
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
概述
MIMIX宽带的二级2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器具有15.0 dB的小信号增益
随着3.2分贝整个频带的噪声系数。这MMIC
采用MIMIX宽带公司的0.3微米的GaAs PHEMT器件
模型技术，并基于光束
光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。
该芯片具有表面钝化保护和提供
通孔和黄金坚固的部分与背面
金属化，以允许任一导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于光纤，微波无线电，军用，太空，
电信基础设施，检验仪器和VSAT
应用程序。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
9.0伏
110毫安
+20 dBm的
-65〜 + 165
O
C
-55到MTTF表
1
MTTF表
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
噪声系数（ NF）
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
输出二阶截取点（ OIP2 ）
输出三阶截点（ OIP3 ）
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
电源电流（ ID）（ Vd1,2 = 8.0V ）
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
VDC
mA
分钟。
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
7.0
10.0
15.0
+/-1.0
30.0
3.2
+13.0
+31.0
+22.0
+8.0
70
马克斯。
18.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+8.5
90
100 ％的晶片直流测试和100％的RF晶片资格。晶圆资格包括来自每个象限测试样品
有80 ％的合格率要求。
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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