2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
2007年4月 - 修订版30 -APR- 07
CMM1100-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，此设备使用一个自偏置体系结构，只需要一个排水
偏见。偏见是名义上Vd1的= Vd2的= 5V ， I（总） = 105毫安。此外，还有在芯片上一共有6个源电阻。三个电阻对输入
舞台是16.6 ， 29.0和29.0欧姆。三个电阻上的输出级为12.5 ， 12.5和9.0欧姆。其中的一个必须被结合到
地为每一个放大器级，如图达到的性能。结合到一个其他电阻器或任何或所有并联可允许
额外的性能调整。最后额外的稳定性垫＃ 3可以接地，而不是焊垫＃ 2 。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF图
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安
1.0E+09
1.00E+00
CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安
1.0E+08
平均无故障时间（小时）
1.00E-01
1.0E+07
FITS
1.00E-02
1.00E-03
1.0E+06
1.0E+05
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
CMM1100 -BD VD = 5.0 V ，ID = 105毫安
160
150
140
TCH （ ℃）
130
120
110
100
90
80
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
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第4 5
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