2.0-22.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2009年9月 - 22牧师09月09
CMM0015-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置
运行时使用的自偏压的体系结构和只需要一个漏极偏压。
偏见是名义上VD = 12.0 V，编号= 350毫安。有关设置额外援助
通过源极电阻的电流，见源电阻见下表。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有DC
旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
此外，为了实现所要求的宽带去耦网络中的
需要高Q值漏极偏置电感具有高Q值的旁路电容。该
适当的网络是必要的，以使漏极偏压到器件
对RF性能的影响最小。高Q电感器通常是空气
线圈，可以从空气线圈制造商（微波器件或Piconics例如）购买。空心线圈需要具有最小
电流处理能力，从而计划工作电流需要被定义并限定实际空气盘管要使用之前考虑。 MIMIX
建议1.4密耳直径的金线和4打开作为起点，并且可能需要根据实际应用进行优化。自
偏置电感的谐振引起的性能下降，在所述频带的高端和低端两者。自共振是敏感
匝数和所使用的圈数之间的间隔。例如，在漏极偏置电感较低的自谐振频率的多匝
电感打造高端射频性能下降。相反的是真实的线匝的数量较少。在线圈附件条款
MMIC器件（楔形接合工具的方法） ，切圈导致所需要的长度，使用镊子或楔焊头（按上线接）把线圈
用于粘合。就使用楔焊机工具MMIC芯片焊盘第一债券。根据需要移动线圈引线，使第二个和最后的债券，以
用同样的方法，首先债券旁路电容与楔形的债券工具。
CMM0015 - 源极电阻表
目前的选择
- 有时需要平衡对系统性能
功率预算的偏置电流，增益， P1dB的，或其他的强制折衷
参数。这说明包括有关如何使用内置的二进制信息
偏梯形调整使这一折衷的电流。该偏置控制
通过自偏置电阻网络中的管芯的右下角。这些
电阻具有二进制相对值，这样就可以一步从目前的
最小值到最大值以提供沿多个不同的偏压选项
方式。无穷大的选择是没有用的，因为没有电流流过的所有
电阻器打开。使用来自当前选择的表中所示的信息
在这里，用户可以设置在电阻调节电流上升或下降
一个标称值。此外，该表可被用来估计如何
使用最小的试验和错误的变化。净结果是，目前
可以在宽范围内具有增量控制进行调整。
接合基板
- 如果你的确切当前关注拨号
或进行精细调整时的偏置点，建议一
接合基板，象这里所示的，可以使用。的目的是为了让
芯片到衬底引线键合将保持不变，并且不被用于
调整。该走从衬底到地面的焊线然后
相加或相减来调整偏置是必要的。
应用笔记[ 3 ]材料叠层结构
- 除了偏差的实际方面和
偏压安排，设备的基材层叠的也必须考虑最佳的
散热性能。一个深思熟虑的散热路径解决方案将改善
整体设备的可靠性，射频性能和功率附加效率。照片
示出了一个典型的高功率放大器承载组件。材料堆叠式为
该载体如下所示。这种层叠的极力推荐最可靠
性能然而，其它材料（例如共晶焊料VS环氧树脂，铜钨/铜钼肋等）可以被认为是/可能的使用，但
只有经过认真审查材料的热性能，材料的可用性和最终应用的性能要求。
MMIC ， 3mil的
Diemat DM6030HK环氧树脂， 1mil的〜
MOLY肋骨，为5mil ，镀金
MOLY载体， 25mil
镀金
铜块
氧化铝基板
金锡共晶焊料
左
6
0
1
0
0
1
1
0
1
中心
4.5
0
0
1
0
1
0
1
1
角落
3.5
0
0
0
1
0
1
1
1
纯科研
无限
6.00
4.50
3.50
2.57
2.21
1.97
1.48
当前三角洲
mA
NA
-275
-225
-175
-100
-75
-50
最大
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