2.0-22.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2009年9月 - 14牧师09月09
CMM0014-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，这些器件工作
采用自偏置架构和只需要一个漏极偏压。偏见
名义上VD = 8V ，编号= 300 mA的电流。对于通过设定电流提供额外援助
源极电阻，见源电阻见下表。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有直流旁路
电容（〜 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。其他DC
旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。此外，为了实现
所要求的宽带去耦网络中的高Q漏极偏置电感与
需要高Q值的旁路电容。适当的网络是必要的，以
将漏极偏置到设备上的RF性能的影响最小。该
高Q电感器通常是一个空心线圈，可以从空气线圈制造商（微波器件或Piconics例如）购买。
空气盘管需要有最小的电流处理能力，从而计划工作电流需要被定义和之前考虑
限定实际空气盘管中使用。 MIMIX建议1.4密耳直径的金线和4变成为起点并可能需要
根据实际应用进行优化。自谐振偏置电感引起的性能下降，在低和高
结束带的。自共振是匝数和所使用的圈数之间的间距很敏感。例如，在所述的多匝
漏极偏置电感较低的电感器制造高端RF性能退化的自谐振频率。与此相反的是
如此匝的数量较少。在线圈安装到MMIC器件方面（楔形接合工具的方法） ，切圈导致所需要的长度，
使用（上线记者拿起）用镊子或楔焊头把线圈粘合。使第一结合使用楔形MMIC芯片焊盘
键合机工具。根据需要移动线圈引线，使第二个和最后的债券，以旁路电容与楔形接合工具使用同样的方法，
首先债券。
目前的选择
- 有时需要平衡对系统性能
功率预算的偏置电流，增益， P1dB的，或其他的强制折衷
参数。这说明包括有关如何使用内置的二进制信息
偏梯形调整使这一折衷的电流。该偏置控制
通过自偏置电阻网络中的管芯的右下角。这些
电阻具有二进制相对值，这样就可以一步从目前的
最小值到最大值以提供沿多个不同的偏压选项
方式。无穷大的选择是没有用的，因为没有电流流过的所有
电阻器打开。使用此处显示当前选择表中的信息
允许用户从一个设置在电阻调节电流上升或下降
标称值。此外，该表可被用来估计如何使
改变以最小的试验和错误。净结果是，目前可
调整在很宽的范围内增量控制。
接合基板
- 如果你的确切当前关注拨号或
进行精细调整时的偏置点，建议的接合
衬底，如这里所示的，可以使用。其目的是允许该芯片
基板键合线将保持不变，并且不被用于调整。该
该走从衬底到地面接合线，然后加上或减去
到偏置必要调。
应用笔记[ 3 ]材料叠层结构 -
除了偏差的实际方面和
偏压安排，设备的基材层叠的也必须考虑最佳的
散热性能。一个深思熟虑的散热路径解决方案将提高整体
设备可靠性， RF性能和功率附加效率。图为
典型的高功率放大器支架组件。材料堆叠式为这个载体
如下所示。这种层叠的极力推荐最可靠的性能
然而，其他材料（如共晶焊料VS环氧树脂，铜钨/铜
钼罗纹等）可以被视为/可能使用，但只有经过仔细审查
材料的热性能，材料的可用性和最终应用的性能要求。
MMIC ， 3mil的
Diemat DM6030HK环氧树脂， 1mil的〜
MOLY肋骨，为5mil ，镀金
MOLY载体， 25mil
镀金
铜块
氧化铝基板
金锡共晶焊料
CMM0014 - 源极电阻表
左
3.3
0
1
0
1
0
1
0
1
中心
2.1
0
0
1
1
0
0
1
1
角落
1.2
0
0
0
0
1
1
1
1
纯科研
无限
3.30
2.10
1.28
1.20
0.88
0.76
0.62
当前三角洲
mA
NA
-200
-175
-150
-75
-50
-25
最大
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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