2.0-22.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2007年4月 - 修订版26 -APR- 07
CMM0014-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，此设备使用一个自偏置体系结构，只需要一个排水
偏见。偏见是名义上VD = 8V ，编号= 300 mA的电流。对于通过源极电阻设定电流的额外帮助，请参阅源电阻见下表。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。此外，为了实现所要求的宽带去耦网络中的
需要高Q值漏极偏置电感具有高Q值的旁路电容。适当的网络是必要的，以使漏极偏压到
设备与RF性能的影响最小。高Q电感器通常是一个空心线圈，可以从空气线圈可购买
制造商（微波组件或Piconics为例） 。空心线圈需要具有最小的电流处理能力，从而
计划工作电流需要被定义并限定实际空气盘管要使用之前考虑。 MIMIX建议1.4万
直径的金线和4变成为出发点，并可能需要根据实际应用进行优化。自谐振的偏置
电感引起的性能下降，在频带的高端和低端两者。自共振是间间距敏感
接通和使用匝数。例如，在漏极偏置电感的匝数越多越低的自谐振电感器的频率
打造高端射频性能下降。相反的是真实的线匝的数量较少。
CMM0014 - 源极电阻表
左
3.3
0
1
0
1
0
1
0
1
中心
2.1
0
0
1
1
0
0
1
1
角落
1.2
0
0
0
0
1
1
1
1
纯科研
无限
3.30
2.10
1.28
1.20
0.88
0.76
0.62
MTTF图
1.0E+09
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
CMM0014 -BD VD = 8.0 V ，ID = 280毫安
1.00E+01
CMM0014 -BD VD = 8.0 V ，ID = 280毫安
1.0E+08
平均无故障时间（小时）
1.00E+00
FITS
1.0E+07
1.00E-01
1.0E+06
1.00E-02
1.0E+05
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
1.00E-03
55
65
75
85
95
105
115
125
底板温度（摄氏度）
CMM0014 -BD VD = 8.0 V ，ID = 280毫安
170
160
150
TCH （ ℃）
140
130
120
110
100
90
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
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