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CMM0014-BD_06 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CMM0014-BD_06
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内容描述: 2.0-22.0 GHz的砷化镓MMIC功率放大器 [2.0-22.0 GHz GaAs MMIC Power Amplifier]
分类和应用: 放大器功率放大器
文件页数/大小: 3 页 / 619 K
品牌: MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
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2.0-22.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2006年8月 - 修订版02 - 8 - 06
CMM0014-BD
芯片图
2.0到22.0 GHz的
砷化镓MMIC
功率放大器
高级产品信息
2004年8月
( 1 3)
特点
小尺寸: 45× 92密耳
高增益:11.5分贝,喃
中等功率: +25 dBm时,典型的P1dB @ 14 GHz的
直接级联 - 完全匹配
无条件稳定
单偏置操作
偏置控制
PHEMT技术
氮化硅钝化
特定网络阳离子
( TA = 25℃ , VDD = 8V ) 1
参数
单位
典型值
最大
频带
小信号增益
增益平坦度
增益变化( -40 ° C至+ 85°C )
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率( @ 1 dB增益压缩) 1
P1dB的变化(在工作频率)
P1dB的变化( -40 ° C至+ 85°C )
饱和输出功率
二阶截取点@ 10 GHz的
三阶截点@ 10 GHz的
噪声系数
当前
热阻
稳定2
GHz的
dB
-DB
-DB
dB
dB
DBM
DBM
-dBm
DBM
DBM
DBM
dB
mA
° C / W
2.0
10.0
22.0
13.5
0.8
0.35
-10.0
-9.0
22.5
4.5
0.25
29.0
48.0
37.5
250
无条件稳定
295
7.5
340
33.0
24.0
注:1。测试在Celeritek外接式评估板(详见第3页上的标准装配条件) 。
2.稳定性系数测量晶圆上。
绝对最大额定值
参数
等级
芯片粘接和粘接过程
7V (分钟) / 9V (最大)
350毫安
2.8 W
+20 dBm的
-50 ° C至+ 150°C
+175°C
-40到(见注2)℃
模具附件:
共晶芯片粘接建议。对于eutec-
TIC芯片附着:瓶胚:金锡( 80 %金, 20 % Sn)的;舞台
温度: 290℃ ±5 ℃;搬运工具:镊子;时间: 1
分钟以下。
引线键合:
线材规格: 0.7〜 1.0密耳直径(前
强调) ;热压粘合,优选在
热压粘接。对于热压粘接:
舞台温度: 250 ℃;焊头温度: 150 ℃;
焊头压力: 18〜 40克取决于大小
线。
漏极电压
漏电流
连续功率耗散
输入功率
储存温度
通道温度
工作温度背面
注意事项: 1.操作超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.计算最高工作温度:
Tmax为175至( PDIS [W ]× 33.0 ) [° C] 。
MIMIX宽带公司, 10795罗克利路,休斯敦,得克萨斯州77099
电话: 281.988.4600传真: 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页3
特征数据和规格如有变更,恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件,美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。