CFK2162-P5
产品规格
1997年7月
（ 1 4）
特点
t
高增益
t
+34 dBm的输出功率
t
专有功率FET工艺
t
>45 ％，线性功率附加效率
t
+29 dBm的30 dBc的三阶产品
t
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
t
ISM频段的基站和终端
t
PCS / PCN基站和终端
t
无线本地环路
描述
该CFK2162 -P5是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+34 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
2.3至2.5 GHz
+34 dBm的功率GaAs FET
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
8
7
6
5
ð GND
GND ð
线性度为2瓦。在Celeritek专有的制造
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试固定在2.5千兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
绝对最大额定值
参数
符号
等级
VD = 8V ，ID = 800毫安（静态）
P-1dB
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 350毫安（静态）
P-1dB
SSG
VD = 5V ，ID = 1200毫安（静态）
P-1dB
SSG
33.0 34.0
11.0 12.0
26
—
—
—
30
40
30.0
9.0
—
—
—
—
—
—
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
12V (3)
-5V
IDSS
10W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
SO- 8封装功率物理尺寸
—
—
32.5
10.0
—
—
DBM
dB
参数
条件
民
典型值
最大
单位
gm
IDSS
Vp
BVgd
(3)
Θ
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 65毫安
IGD = 6.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
18
—
1700
2.8
-1.8
20
10
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 29 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
3.最大（ + VD）和（ -Vg ）下的线性操作。最大的电势差
整个装置的RF压缩（ 2 VD + | -Vg | ）不超过微型
妈妈击穿电压为+ 18V （ VBR ） 。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
