CFK2062-P3
产品规格
1997年7月
（ 1 4）
特点
t
高增益
t
+30 dBm的输出功率
t
专有功率FET工艺
t
>40 ％，线性功率附加效率
t
表面贴装的SO - 8封装功率
应用
t
PCS / PCN基站和终端
t
无线本地环路
描述
该CFK2062 -P3是一个高增益的FET用于DRI-
版本放大器应用在大功率系统中，并输出
现阶段使用中等功率应用的功率高达
+30 dBm的。该设备是很容易匹配，并提供优良
线性度为1瓦。在Celeritek专有的制造
8
7
6
5
ð GND
GND ð
1.8至2.0千兆赫
+30 dBm的功率GaAs FET
包图
摹GND
GND摹
1
2
3
4
BACK PLANE
是源
功率场效应晶体管过程中，本装置组装在一个行业
标准的表面贴装的SO- 8封装的功率为兼容
与大批量，自动化电路板组装技术。
特定网络阳离子
（ TA = 25°C ）
以下规格
保证在室温下在Celeritek测试固定在1.95千兆赫。
参数
条件
民
典型值
最大
单位
SO- 8封装功率物理尺寸
VD = 8V ，ID = 400毫安（静态）
P-1dB
SSG
3阶
制品
(1)
效率
@ P1dB为
VD = 5V ，ID = 600毫安（静态）
P-1dB
SSG
参数
条件
30.0 31.0
13.5 14.5
—
—
—
—
民
—
—
—
—
—
—
最大
DBM
dB
dBc的
%
DBM
dB
单位
30
40
30.5
13.5
典型值
gm
IDSS
Vp
BVgd
Θ
JL
(2)
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 2.0V ， VGS = 0V
VDS = 3.0V ， IDS = 25毫安
IGD = 2.5毫安
@ 150℃ TCH
—
—
—
15
—
650
1.4
-1.8
17
12
—
—
—
—
mS
A
伏
伏
° C / W
绝对最大额定值
参数
符号
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续耗散
通道温度
储存温度
VDS
VGS
IDS
PT
总胆固醇
TSTG
10V (3)
-5V
IDSS
6W
175°C
-65 ° C到+ 175℃
注意事项：
1.心两色调和1 MHz的间距= 25 dBm的。
2.请参阅第4页上的散热考虑的信息。
整个装置（VD + VG） 3.最大电位差不了
超过12V 。
3236斯科特大道
加利福尼亚州圣克拉拉95054
电话： （ 408 ） 986-5060
传真： （ 408 ） 986-5095
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
