800-900兆赫
+30 dBm的功率GaAs FET
2006年8月 - 修订版03 - 8 - 06
CFK2062-P1
散热注意事项
所示的数据是在一个31密耳厚的FR-4板用1盎司铜的两侧。该板装到基线
板3颗螺丝，如图所示。螺钉使顶侧铜温度为相同的值作为所述底板上。热
电阻所指示的基准导线，
是12 ° C / W 。到基准螺杆的热阻为14 ℃/ W的
1.用1或2盎司铜如果可能的话。
2.焊接到相应的电气连接的所有八根导线的CFK2062 -P1包。
3.焊料上CFK2062 -P1包到接地平面的背面的铜垫。
4.使用大接地焊盘面积与许多镀通孔，如图所示。
5.如果可能的话，使用至少一个螺杆不大于0.2英寸的CFK2062 -P1的包，以提供低热阻
路径到封装基板上。
订购信息
该CFK2062 -P1功率级可在一个SO- 8表面贴装封装。器件采用磁带和卷轴可用。订购零件
数列。
如需订购部件号
CFK2062-P1
CFK2062-P1-000T
功能
800 - 900 MHz的功率级
800 - 900 MHz的功率级
包
SO- 8表面贴装功率封装
SO- 8表面贴装功率封装在磁带和卷轴
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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