通用
砷化镓场效应管
2006年7月 - 修订版31月-06
特点
高增益
19 dBm的输出功率
离子注入材料
70军用密封包装
CFA0101
应用
卫星
点至点收音机
商业通信
国防电子
概述
在CFA0101 -G系列是高增益场效应管非常适用于高性能增益模块的应用程序。这
系列器件组装在一个行业标准70万气密封装。该系列高可靠性的设备是
非常适合于运行关键应用的可靠性和性能是必需的。
典型的噪声参数
（VDS = 6V ， IDS = 40 mA）的
频率
（千兆赫）
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
18.0
NF
选择
0.94
1.18
1.46
1.82
2.35
2.87
3.29
3.70
4.00
G
A
伽玛选项
（ dB）的马格昂
21.5 0.81
39
17.6 0.66
78
15.3 0.56 115
13.7 0.51 151
12.5 0.48 -175
11.6 0.48 -140
10.9 0.50 -105
10.3 0.51
-69
9.9
0.53
-32
Rn/50
1.57
0.67
0.19
0.04
0.14
0.42
0.78
1.16
1.46
频率
（千兆赫）
12.0
12.0
2.0
10.0
18.0
12.0
绝对最大额定值
漏源极电压（VDS ）
栅极 - 源极电压（ VGS）
漏电流（ IDS ）
连续耗散（PT ）
射频功率在（PIN）
通道温度（ TCH）
存储温度（ TSTG ）
8V
-5 V
IDSS
800毫瓦
+17 dBm的
175 ºC
-65 ° C至+175 ℃，
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
BIAS
参数
P1dB
GL
IS211
2
NFopt
gm
IDSS
Vp
BVgd
RTH
VDS （ V）
6.0
6.0
6.0
6.0
VDS = 3.0V
VDS = 3.0V
VDS = 3.0V
IGD = 100微安
IDS （毫安）
40.0
40.0
40.0
40.0
VGS = 0V
VGS = 0V
IDS = 1毫安
单位
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
mS
mA
伏
伏
摄氏度/ W
GRADE
G1
G2
G3
G1
G2
G3
民
19.0
18.0
17.0
9.0
9.0
8.0
典型值
19.5
18.5
17.5
9.5
9.5
8.5
14.0
8.7
5.1
2.8
60.0
60.0
-1.3
-8.0
250
最大
-
-
-
-
-
-
40.0
-0.7
-5.5
120.0
-2.5
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第1页2
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