500-6000兆赫
双通道，超低噪声，高IP3放大器
2007年10月 - 修订版22 -OCT- 07
CDQ0303-QS
特点
匹配对晶体管进行优化
平衡放大器设计
铝镓砷/铟镓砷/铝镓砷假晶高
电子迁移率晶体管（ pHEMT制）
高增益：
25分贝@ 900 MHz的
21分贝@ 1900 MHz的
低噪声系数：
0.6分贝@ 900 MHz的
0.7分贝@ 1900 MHz的
17 dBm的P1dB为2 GHz的
33 dBm的OIP3在2 GHz
600μm的门宽度：50输出阻抗
优良的均匀性
超小型表面贴装QFN封装
10年MTBF寿命
符合RoHS标准建设
典型规格（ 50
参数
系统）
单位
900兆赫1900兆赫2400兆赫
S21增益
S11输入回波损耗
S22输出回波损耗
输出IP3
输出P1 dB的
噪声系数
工作电流范围
电源电压
23.5
-3.0
-3.5
31.8
16.5
0.55
50
3.0
20.0
-4.0
-4.5
32.5
16.0
0.72
50
3.0
16.0
-3.0
-7.0
32.7
16.0
0.89
50
3.0
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
mA
V
应用
低噪声放大器和振荡器工作
在射频和微波频率范围
蜂窝/ PCS / GSM / W -CDMA
手机，基站接收机和
塔顶放大器
WiMAX的无线局域网， LEO ， GEO ， WLL / RLL ， GPS和
MMDS应用
通用离散的pHEMT对于其他超
低噪声和中等功率应用
注：典型规范代表的每一面表现
匹配晶体管对在建议的应用电路
板（请参阅第15页） 。可以预见，在所述一对将在一个的天平用于
高级电路结构，因此匹配被用于最优化
噪声系数和OIP3性能。
描述
该CDQ0303 - QS是一款双通道，超低噪声amplifi-
国家的最先进的ER结合高增益，噪声系数和高
IP3 。采用MIMIX的独特内部砷化镓fabrica-
化优势，对匹配的技术，共同定位
匹配晶体管芯片组装在采用4mm x 4mm
QFN封装。低成本，表面贴装， 16个终端，
塑料包装也是无铅。
包装一对匹配的超低噪音设备
在一个封装使得CDQ0303 -QS的理想产品
为平衡放大器实现。其目的是为
在900 MHz到2400 MHz的多种应用
频率范围。它也可以在双频段用于组态
配给在一个单一的晶体管被用于每个频段。
MIMIX的高性能封装pHEMTs是
非常适合于所有应用中使用，其中的低噪声系数，高
增益，中等功率和良好的拦截是必需的。该
CDQ0303 -QS是用于第一或第二的最佳解决方案
由于基站LNA阶段的完美结合
低噪声系数和线性度。它也非常适合作为
在极顶放大器和其他中等功率驱动级
发送的功能，特别是作为低热阻
可扩展的功耗时，电压和电流
调整可以提高输出功率和线性度。
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