4.0-11.0 GHz的砷化镓MMIC
缓冲放大器
2009年10月 - 修订版10月10日09
B1007-BD
应用笔记[1]偏置 -
该器件可提供可变增益可调偏置调节。为了获得最佳的线性度性能，建议
偏置该设备在VD = 4V id为90毫安（ VG2约-0.5V和VG1处于打开状态） 。此外，还建议使用有源偏置控制
的漏极电流，因为这给出了随温度或RF电平的变化是最可重复的结果。根据电源电压
可用和功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低的值
电阻器串联在漏极供应用于感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而
漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。另外，
确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排 -
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ VD和Vg1,2 ）需要
有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF图
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
1.0E+16
1.0E+15
1.0E+14
1.0E+13
XB1007 -BD ：平均无故障时间与背面温度
VDD = 4 V ，国际长途= 100毫安
VDD = 4 V ，国际长途= 130毫安
平均无故障时间（小时）
1.0E+12
1.0E+11
1.0E+10
1.0E+09
1.0E+08
1.0E+07
1.0E+06
1.0E+05
1.0E+04
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
背面温度（ ℃）
220
200
180
XB1007 -BD ：总胆固醇（最大值）与背面温度
Tch_max （ ºC ）
160
140
120
100
80
60
40
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
VDD = 4 V ，国际长途= 100毫安
VDD = 4 V ，国际长途= 130毫安
背面温度（ ℃）
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第8 9
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