24.0-34.0 GHz的砷化镓MMIC
功率放大器
2005年5月 - 修订版05月-05
28MPA0304
应用笔记[1]偏置
-
建议单独地偏置每个放大器级Vd1的通过Vd3的在Vd的（1,2,3） = 6.0V同为Id1 = 50mA时
应用笔记[2]偏置安排
-
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ VD1， 2 ， 3和VG1 ， 2 ， 3 ）需要有直流旁路
电容（〜一〇〇〇年至2200年pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
176.3度摄氏
204.0度摄氏
231.1度摄氏
pr
o
背板
温度
通道
温度
RTH
du
平均无故障时间
63.8
°
C / W
67.8
°
C / W
71.6
°
C / W
9.79E+06
9.32E+05
1.21E+05
偏置条件：
VD1 = Vd2的= = Vd3的6.0V ，ID1 = 50毫安，ID2 = 90 mA时， ID3 = 180毫安
Pr
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
e-
ct
FITS
1.02E+02
1.07E+03
8.30E+03
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC
旁路电容器（〜一零零零年至2200年pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也建议所有的DC或
直流偏置垫组合（如果门或排水渠连接在一起） 。
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2005
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
io
n
ID2 = 90毫安和ID3 = 180毫安。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平饱和度，其中栅极的情况下使用
精馏将改变有效栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调节
公共栅极电压，总漏极电流Id （总） = 320毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流
恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压
和功耗的限制，偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，具有一个低
串联地用于感测电流的漏极供给值电阻。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极
电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.9V 。典型地，栅极保护用硅二极管
以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
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