27.0-36.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2005年5月 - 修订版20月-05
27TRX0357
MTTF表（ TBD）
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
uc
E+
E+
E+
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
FITS
C / W
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = Vd2的= 4.0V ，ID1 = 230毫安，ID2 = 140毫安
Pr
e-
pr
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第4 7
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2005
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
od
C / W
C / W
TIO
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ Vd1,2和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF的）
如靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
n
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是由分别偏压V d1和Vd2的操作
血管性痴呆（ 1,2 ） = 4.0V ，ID1 = 230毫安和ID2 = 140毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流
恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于电源
电压供应，功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率
运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的门
pHEMT制被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。所需的典型栅极电压来做到这一点
为-0.3V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请务必测序
施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
