18.0-21.0 / 36.0-42.0 GHz的砷化镓MMIC
倍频器和功率放大器
2005年9月 - 01牧师09月05
20DBL0629
应用笔记[1]偏置
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建议通过VD6分别偏置每个放大器级Vd1的在Vd1的= 2.5V ，VD2 = 3.0V ，性病（ 3,4,5,6 ） = 4.5V与
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏极焊盘DC旁路电容
（〜 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也建议所有的DC或组合（如门或排水渠是
的直流偏置垫连在一起） 。 VD （ 3,4,5,6 ）或Vg （ 3,4,5,6 ）已经被捆绑在一起，但可以保持打开状态。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2,3,4,5,6和Vg1,2,3,4,5,6 ）需要有直流旁路
电容（〜 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
od
RTH
待定
待定
待定
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
待定
待定
平均无故障时间
uc
FITS
待定
待定
待定
待定
待定
待定
Pr
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
e-
pr
待定
TIO
应用笔记[2]偏置安排
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第4 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2005
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
n
Id1<1mA ，ID2 = 20mA时， ID3 = 40毫安，抑制因子Id4 = 70毫安， ID5 = 150毫安， ID6 = 270毫安。单独的偏置，建议如果放大器在高的水平被使用
的饱和度，其中栅极精馏将改变有效栅极控制电压。如图所示的接合图表，所以能够平行的阶段
VD （ 3,4,5）与ID（ 3,4,5） = 260毫安，同时保持良好的性能。对于非关键应用是可能的并行阶段Vd的（ 3,4,5,6 ）
在一起，并调整公共栅极电压Vg （ 3,4,5,6 ），用于总漏极电流Id （总） = 530毫安。此外，还建议使用有源偏置来
保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据电源电压
可用和功耗的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低的值
电阻器串联在漏极供应用于感测电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而
漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.7V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。另外，
确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
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