8.0-12.0 / 16.0-24.0 GHz的砷化镓MMIC
有源倍频器
2005年4月 - 修订版01 -APR- 05
20DBL0451
应用笔记[1]偏置
-
建议通过Vd2的在Vd的单独偏压每倍频阶段Vd1的（1,2） = 3.5V同为Id1 = 25毫安
应用笔记[2]偏置安排
-
对于个人级的偏置（推荐倍增的应用程序） - 每个DC垫（ VD1， 2和VG1 ， 2 ）需要有直流旁路
电容（〜 100-200粉煤）作为靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
uc
E+
E+
E+
MTTF表（ TBD）
FITS
od
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
Pr
e-
pr
偏置条件：
VD1 = Vd2的= 3.5V ，ID1 = 25毫安，ID2 = 110毫安
TIO
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第4 6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
n
和ID2 = 110毫安。单独的偏置，建议如果倍频器在高层次饱和度，其中门整治中使用
将改变的有效栅极控制电压。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF
功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。取决于电源电压提供的电源
耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率运算放大器，具有一个低值电阻器
系列具有用于感测电流的漏极电源。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而
漏极电压。需要做这种典型的栅电压VG1 = -0.9V以及Vg2 = -0.3V 。典型地，栅极保护用硅
二极管来限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
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