10.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2005年9月 - 01牧师09月05
14TX0614
对于个人级的偏置 - 每个DC垫（ Vd1,2,3 ，VSS和Vg1,2,3 ）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF的）
如靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
od
RTH
C / W
C / W
C / W
e-
pr
度摄氏
度摄氏
度摄氏
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
平均无故障时间
uc
E+
E+
E+
应用笔记[2]偏置安排
-
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的排水管或
栅极焊盘直流旁路电容器（〜 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也
建议所有DC或组合的直流偏置垫（如果门或排水渠连接在一起） 。
FITS
E+
E+
E+
偏置条件：
VD1 = Vd2的= Vd3的= 5.0V ， VSS = -5.0V ，ID1 = 140毫安，ID2 = 70毫安， ID3 = 140毫安， IS1 = 140毫安
Pr
TIO
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是由单独的偏置操作的Vd的（1,2,3） = 5.0V ，
VSS = -5.0V ，ID1 = 140毫安，ID2 = 70毫安， ID3 = 140毫安和IS1 = 140毫安。此外，混频器还需要与VG1 = -0.6V 。
调整高于或低于此值VG1可转换增益产生不利影响， LO / RF隔离和拦截点
性能。增益控制可以通过改变Vg2,3进行调整，从0.0到-1.2 V与0.0V提供最低
衰减和-1.2 V提供最大衰减。此外，还建议使用有源偏置，以保持
电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据不同的
可用的电源电压和功率耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率
运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的门
pHEMT制被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。所需的典型栅极电压来做到这一点
为-0.2V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请务必测序
施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
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