3N166
P沟道MOSFET
该3N166是一款单芯片双增强型P沟道MOSFET
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N166
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
最高温度
所述密封TO -78封装，非常适合
储存温度
‐65°C to +200°C
高可靠性和恶劣环境下的应用。
工作结温
‐55°C to +150°C
Lead Temperature (Soldering, 10 sec.)
+300°C
（见包装信息） 。
最大功率耗散
连续功率耗散（单面）
300mW
3N166特点：
Total Derating above 25°C
4.2 mW/°C
最大电流
非常高的输入阻抗
漏电流
50mA
低电容
最大电压不
高增益
高栅极击穿电压
漏极至栅极或漏极至源极
2
‐30V
3
低阈值电压
峰门源
±125V
栅栅电压
±80V
3N166 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
条件“
I
GSSR
门反向漏电流
‐‐
‐‐
10
V
GS
= ‐0V
I
GSSF
门正向电流
‐‐
‐‐
‐10
V
GS
= ‐40V
pA
T
A
= +125°C
‐‐
‐‐
‐25
I
DSS
漏极至源极漏电流
‐‐
‐‐
‐200
V
DS
= ‐20V
I
SDS
源极到漏极的泄漏电流
‐‐
‐‐
‐400
V
SD
= ‐20V V
DB
= 0
I
D（上）
漏电流“开”
‐5.0
‐‐
‐30
mA
V
DS
= ‐15V, V
GS
= ‐10V
V
GS （ TH）
门源阈值电压
‐2.0
‐‐
‐5.0
V
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐10µA
r
DS （ ON）
g
fs
该3N166是一款双增强型P沟道
MOSFET和非常适合空间受限的应用
和那些需要严格的电气配套。
g
os
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
R
E
(Y
fs
)
4
常见的来源前进
1200
‐‐
‐‐
µS
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐10mA , f = 100MHz
4
跨†
MATCHING CHARACTERISTICS 3N166
SYMBOL
极限？
特点】
单位“
条件“
MIN †
MAX`
Y
fs1
/Y
fs2
正向跨导率
0.90
1.0
ns
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA , f = MHz
4
V
GS1‐2
门源门限电压
‐‐
100
mV
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA
微分
∆V
GS1‐2
/∆T
门源门限电压
‐‐
100
μV/°C
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐500µA
差变化与温度
T
A
= ‐55°C to = +25°C
切换测试电路
开关波形&测试电路
注1 - 绝对最大额定值的限制值，超过该3N166适用性可能受到损害。 *
Note 2 – Per Transistor
Note 3 – Device must not be tested at ±125V more than once or longer than 300ms.
Note 4 – For design reference only, not 100% tested
设备原理图
TO- 78 （底视图）
可用的软件包：
3N166的TO- 72
3N166裸片。
请联系Micross全
包装及模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
*为了避免可能的设备损坏，接线，调试，或在实际
操作时，请按照下列步骤：为了避免积聚静电荷，在
该器件的引线应保持与一个金属环，除了短接
正在测试或使用时。避免不必要的处理。拿起的设备
情况下，代替导线。不要插入或从与电路删除设备
电源上，如瞬态电压可能会造成对设备的您永久损坏。
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