3N163
P沟道MOSFET
该3N163是一个增强型P沟道MOSFET
该3N163是一个增强型P沟道MOSFET
设计用作一个通用放大器或
开关
所述密封TO -72封装，非常适合
高可靠性和恶劣环境下的应用。
特点是什么？
DIRECT REPLACEMENT FOR INTERSIL 3N163
绝对最大额定值
1
@ 25°C (unless otherwise noted)
‐65°C to +200°C
‐55°C to +150°C
375mW
50mA
‐40V
‐40V
±125V
条件“
V
GS
= ‐40V, V
DS
= 0V
I
D
= ‐10µA, V
GS
= 0V
I
S
= ‐10µA, V
GD
= 0V, V
BD
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= ‐10µA
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐10µA
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐0.5mA
= 0V
最高温度
储存温度
（见包装信息） 。
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散
3N163特点：
最大电流
非常高的输入阻抗
漏电流
低电容
最大电压不
高增益
漏极至栅极
高栅极击穿电压
漏极至源极
低阈值电压
峰门源
2
3N163 ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C (unless otherwise noted)
SYMBOL
特点】
MIN †
（典型值） *
MAX`
单位“
I
GSSF
门正向电流
‐10
‐‐
‐‐
pA
T
A
= +125°C
‐‐
‐‐
‐25
BV
DSS
漏极至源极击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
BV
SDS
源极 - 漏极击穿电压
‐40
‐‐
‐‐
V
V
GS （ TH）
门源阈值电压
‐2.0
‐‐
‐5.0
‐2.0
‐‐
‐5.0
V
GS
门源电压
‐3.0
‐‐
‐6.5
I
DSS
I
SDS
r
DS （ ON）
I
D（上）
g
fs
g
os
C
国际空间站
pF
V
DS
= ‐15V, I
D
= ‐10mA , f = 1MHz
3
C
RSS
反向传输电容
‐‐
‐‐
0.7
C
OSS
输出电容，输入短路
‐‐
‐‐
3.0
开关特性 - T的
A
= 25°C and V
BS
= 0 unless otherwise noted TIMING WAVEFORMS
SYMBOL
特点】
MAX`
单位“
条件“
t
D（上）
导通延迟时间
12
V
DD
= ‐15V
ns
I
D（上）
= ‐10mA
t
r
开启上升时间
24
3
R
G
= R
L
= 1.4KΩ
t
关闭
关闭时间
50
切换测试电路
可用的软件包：
3N163的TO- 72
3N163裸片。
TO- 72 （底视图）
Note 1 ‐ Absolute maximum ratings are limiting values above which 3N163 serviceability may be impaired.
Note 2 – Device must not be tested at ±125V more than once or longer than 300ms.
Note 3 – For design reference only, not 100% tested
Micross组件欧洲
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
请联系Micross全
包装及模具尺寸
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担
供其使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式
根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
Micross组件有限公司，英国，电话： +44 1603 788967 ，传真： +44 1603788920 ，邮箱：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
MICROSS [ MICROSS COMPONENTS ]
