8700 E.托马斯路
亚利桑那州斯科茨代尔85251
联系电话： （ 480 ） 941-6300
传真： （ 480 ） 947-1503
SMDA/B03
THRU
SMDA/B24C
说明（ 300和500瓦特）的
这8针4线单向或双向阵列被设计为在使用中
其中，保护电压瞬变所需的板级应用
因静电放电（ ESD）由IEC 1000-4-2 ，电快速定义
符合IEC 1000-4-4瞬变（ EFT ）和次级照明效果。
这些阵列可用于保护的4条线的任何组合。该SMDA / B产品
提供静电等引起的电压板级保护
电涌可能会损坏敏感电路。
这些瞬态电压抑制器（ TVS）二极管阵列保护3.0 / 3.3
伏元件如DRAM的，SRAM的，CMOS HCMOS ， HSIC和低
接口电压高达24Volts 。
TVSarray ™系列
™
特点
•
•
•
•
保护3.0 / 3.3最高至24V的组件
保护4线单向或双向
提供电隔离保护
SO- 8封装
机械
•
•
•
•
成型SO- 8表面贴装
重量： 0.066克（近似值）
机身打上标志和设备号
针＃1点定义在封装顶部
最大额定值
•
•
•
•
•
工作温度： -55 ℃〜 + 150℃
存储温度： -55
0
C至+150
0
C
SMDA峰值脉冲功率： 300瓦（ 8/20
微秒，
图1）
SMDB峰值脉冲功率： 500瓦（ 8/20
微秒，
图1）
脉冲重复率： <.01 ％
0
0
包装
•
•
•
磁带&卷轴EIA标准481-1 -A
13英寸卷筒2500件（可选）
运营商管95颗每（ STANDARD ）
每行@ 25电气特性
0
C除非另有说明
站
关闭
电压
V
WM
伏
最大
3.3
3.3
3.3
3.3
5.0
5.0
5.0
5.0
12.0
12.0
12.0
12.0
15.0
15.0
15.0
15.0
24.0
24.0
24.0
24.0
BREAKDOW
N
电压
V
BR
@ 1毫安
伏
民
4
4
4
4
6
6
6
6
13.3
13.3
13.3
13.3
16.7
16.7
16.7
16.7
26.7
26.7
26.7
26.7
夹紧
电压
V
C
@ 1安培
（图2）
伏
最大
7
7
7
7
9.8
9.8
9.8
9.8
19
19
19
19
24
24
24
24
43
43
43
43
夹紧
电压
V
C
@ 5安培
(FIGURE2)
伏
最大
9
9
9
9
11
11
11
11
24
24
24
24
30
30
30
30
55
55
55
55
泄漏
当前
I
D
@ V
WM
µA
最大
200
200
200
200
20
40
20
40
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
电容
中（f = 1 MHz）的
@0V
C
pF
典型值
800
400
800
400
600
300
600
300
185
94
185
94
140
70
140
70
90
45
90
45
温度
系数
V的
BR
á
VBR
毫伏/°C的
最大
-3
-5
-3
-5
3
1
3
1
10
8
10
8
13
11
13
11
30
28
30
28
部分
数
设备
记号
SMDA03
SMDA03C
SMDB03
SMDB03C
SMDA05
SMDA05C
SMDB05
SMDB05C
SMDA12
SMDA12C
SMDB12
SMDB12C
SMDA15
SMDA15C
SMDB15
SMDB15C
SMDA24
SMDA24C
SMDB24
SMDB24C
SDK
SDL
PDK
PDL
SDA
深圳发展银行
PDA
PDB
SDC
SDD
PDC
PDD
SDE
SDF
PDE
PDF
SDG
SDH
PDG
PDH
着有“ C”的后缀部分号码是双向的设备
MSC0330A.PDF
ISO 9001认证
REV ñ 2000年7月6日
MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
