产品DATABOOK 1996/1997
SG1844 / SG1845系列
C
光凭目前
-M
ODE
PWM ç
ONTROLLER
P
R 0 ð ú Ç T I O 4 N
D
一个T A
S
ħ ê （E T）
TYPICALAPPLIC AT IONCIRCUITS
参考引脚数是8引脚封装，引脚数括号中是14引脚封装。
V
CC
V
IN
V
CC
V
IN
7 (12)
7 (12)
7 (11)
6 (10)
5 (8)
R
3 (5)
C
Q1
SG1844/45
I
PK
7 (11)
R
1
6 (10)
Q1
SG1844/45
R
S
I
峰（最大值）
= 1.0V
R
S
3 (5)
5 (8)
R
S
图14 。
- 电流检测尖峰抑制
的RC低通滤波将消除前沿电流尖峰
引起的功率MOSFET的寄生效应。
图15 。
- MOSFET的寄生振荡
电阻（R
1
）串联MOSFET栅极减少过冲和
振铃引起的MOSFET的输入电容和任何电感
串联栅极驱动器。 （注：有一个很重要的
低电感接地通路，以保证芯片的正常运行
这可以通过使接地路径短和宽来完成
作为可能的。 ）
V
CC
V
IN
隔离
边界
Q1
I
B
V
C
+
»
R
2
V
C1
»
R
1
| R
2
_
|
V
C
V
C1
7 (11)
R
2
SG1844/45
6 (10)
C
1
R
1
Q1
SG1844/45
5 (8)
V
IN
7 (12)
7 (11)
6 (10)
V
GS
波形
+
0
_
50 ％的DC
R
+
0
_
25 ％的DC
3 (5)
5 (8)
C
R
S
N
S
N
P
3 (5)
R
S
I
PK
=
V（引脚1） - 1.4
3R
S
N
P
N
S
图16 。
- 双极晶体管驱动
在1844年至1845年的输出级可以提供负基极电流，以
删除功率晶体管的基极电荷（Q
1
）更快的关闭。这
通过添加电容器来实现（℃
1
）在与电阻器并联
(R
1
） 。所述电阻器（R
1
）是限制接通期间基极电流。
图17 。
隔震 - MOSFET驱动器
电流互感器可以使用其中的隔离是必需的
与PWM和主地。驱动变压器是那么
必要的接口，PWM输出与MOSFET 。
版权所有©2000
修订版1.4 4/00
11
MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
