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MMAD1103 参数 Datasheet PDF下载

MMAD1103图片预览
型号: MMAD1103
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内容描述: 开关二极管阵列转向二极管TVS ArrayTM [Switching Diode Array Steering Diode TVS ArrayTM]
分类和应用: 整流二极管开关电视光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 92 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号MMAD1103的Datasheet PDF文件第2页  
MMAD1103和MMAD1103e3
开关二极管阵列
转向二极管TVS阵列
TM
斯科茨代尔区划
描述
这些低电容二极管阵列是多重的,离散的,分离的
路口制造了一个平面工艺,并安装在一个14引脚封装
用作转向二极管保护多达8个I / O端口的ESD , EFT ,
或由它们要么引导至电源的正侧浪涌
线或接地(参见图1) 。外部TVS二极管可以加入
在正电源线和接地,以防止过压之间
电源轨。它们也可以在快速切换核心驱动程序用于
应用程序。这包括在计算机和外围设备,如
磁芯,薄膜存储器,镀线存储器等,以及
解码或编码应用。这些阵列提供了许多优点
集成电路如高密度封装,并提高了可靠性。
这是较少的拾取和放置操作,更小的尺寸的结果,较小的
重量,并消除各分立封装,可能无法如
用户在印刷电路板安装型。它们可以既锡铅
电镀终端或符合RoHS规范要求退火雾锡完成
通过添加“E3”后缀的零件编号。
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
顶部查看引脚布局
特点
16二极管阵列/保护8线
模压14引脚SOIC封装
UL 94V- 0可燃性分类
每个二极管低电容1.5 pF的
切换速度小于5纳秒
可通过添加“ E3 ”后缀符合RoHS设备
IEC 61000-4兼容
61000-4-2 ( ESD ) : 15kV的空气,接触 - 8千伏
61000-4-4 ( EFT ) : 40A - 5/50纳秒
61000-4-5 (浪涌) : 12A , 8/20
µs
应用/优势
高低电容控向二极管保护
频率数据线
RS - 232 & RS - 422网络接口
以太网: 10碱基T
计算机I / O端口
局域网
交换核心驱动程序
最大额定值
工作温度: -55 ° C至+ 150°C
存储温度: -55°C至+ 150°C
正向浪涌电流: 2安培( 8.3毫秒)
12安培( 8/20
µs
)
连续正向电流:400 MA(一个二极管)
功耗(P
D
) : 1500毫瓦(总)
焊接温度: 260℃ 10秒(最大)
机械及包装
案例:无空洞转移成型热固性
环氧机构会议UL94V- 0可燃性
分类
端子:锡铅或符合RoHS退火
每MIL -STD -750雾锡镀焊
方法2026
标记: MSC标识, MMAD1103或MMAD1103e3
和日期代码。引脚#1是在点的左侧或
缩进的封装顶部
重量: 0.127克(近似值)
磁带&卷轴包装: 2500个(标准)
运营商管包装: 55个
MMAD1103 , E3
每行的电气特性@ 25 ° C除非另有说明
击穿
电压
V
BR
@ I
BR
=100µA
V
MMAD1103
MMAD1103e3
90
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
V
最大
75
泄漏
当前
I
R
T
A
= 25°C
µA
最大
0.200
@V
R
20
最大
300
泄漏
当前
I
R
T
A
= 150°C
µA
@V
R
20
电容
C
@0V
pF
典型值
1.5
反向
恢复
时间
t
rr
ns
最大
5.0
前锋
电压
V
F
I
F
= 10毫安
V
最大
1.00
前锋
电压
V
F
I
F
= 100毫安
V
最大
1.20
部分
版权
©
2005
2005年6月28日REV L
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ,斯科茨代尔,AZ 85252 USA , ( 480 ) 941-6300 ,传真: ( 480 ) 947-1503
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