MMAD1109和MMAD1109e3
开关二极管阵列
转向二极管TVS阵列™
斯科茨代尔区划
符号
V
BR
V
RWM
V
F
I
R
C
符号定义&
德网络nition
最小击穿电压的最小电压的器件将呈现在指定的电流。
工作峰值反向电压：可应用在工作的最大峰值电压
温度范围。
最大正向电压：最大正向电压的器件将呈现在指定的电流。
最大泄漏电流：最大漏电流将流过在指定的电压和
温度。
电容：在瞬态的定义@ 0伏以1MHz的频率和所表示的静电电容
皮法。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
概况与电路
电源轨（ + V
CC
)
I / O端口
GND （或-V
CC
)
控向二极管应用
图1
英寸
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
民
0.740
0.235
0.120
0.270
0.320
0.015
0.017
0.140
0.040
最大
0.780
0.265
0.140
0.330
0.380
0.100 BSC
0.021
0.023
0.160
0.070
MILLIMETERS
民
18.80
5.969
3.048
6.858
8.128
0.381
0.431
3.556
1.016
最大
19.81
6.731
3.556
8.382
9.652
2.540 BSC
0.533
0.584
4.064
1.778
概要
MMAD1109 ， E3
电路CON组fi guration
焊盘布局
版权
©
2005
2005年6月28日REV ķ
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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