LXE1710 ê
估价
B
OARD
MOSFET S
选举
正如在前面的章节中，用户可以设计
该放大器的输出滤波器，以满足性能或
成本的目标。此外，放大器的功率级
（选择MOSFET的）可以根据被选择
这些权衡。该放大器电路的效率
可以由下面的方程来近似。
U
SER
G
指南
R
NDS
=
0.03
Ω
,
R
PDS
=
0.095
Ω
P
DS
=
(2.5)
2
[2(0.03
+
0.095)]
=
1.56
W
MOSFET功率损失成正比的导通电阻。
MOSFET SwitchingLoss
=
P
交
=
CV
2
f
S
n
哪里
C
V
f
S
n
假设
C
V
f
S
=
=
=
=
输入电容
电源电压
开关频率
MOSFET的数量
P
OUT
I
2
R
L
=
=
2
P
IN
I
[2(
R
NDS
+
R
PDS
+
R
IND
)
+
R
L
]
+
P
交
哪里
R
L
=
R
NDS
=
R
PDS
R
IND
=
=
扬声器的直流电阻
N沟道MOSFET的导通电阻
P沟道MOSFET的导通电阻
电感的直流电阻
MOSFET的开关损耗
P
交
=
= 1000pF的
= 15VDC
= 500kHz的
P
交
=
(1
×
10
−
9
)(15
2
)(500
×
10
3
)(4)
=
0.45
W
的整体效率是主要的一函数
MOSFET和输出滤波电感。在“电感”
部分的贡献将在以后考虑。该
MOSFET功率损失是导通电阻的函数
和栅极电荷。
MOSFET的开关损耗正比于总闸
充电，电源电压和开关频率。
还有一些其他的重要参数，以
选择输出功率元件时考虑
除了导通电阻和栅极电荷的
的MOSFET。漏 - 源电压必须提供
充足的余量，电路噪声和高速
开关瞬变。由于放大器配置
要求输出桥接操作的供电电压，
MOSFET管应具有的漏极 - 源极电压
至少50％的大于电源电压。该
MOSFET的功耗也应
能够消散由内部产生的热
损失和大于P的总和
DS
和P
交
.
LINFINITY建议，在选择的MOSFET ，R
DS
0 1!1 2
g
<10nC 。下表提供了
若干MOSFET的选择
.
Si4532ADY
IRF7105
MOSFET功率损耗
=
P
DS
=
I
2
[2(
R
NDS
+
R
PDS
)]
P
O
=
25
W
在4
Ω
If
然后
I
=
P
25
=
=
2.5
A
R
4
该LX1710评估板设计使用
FDS4953 p沟道和FDS6612A n沟道
的MOSFET。
FDS6612A FDS4953
RDS （ ON） @VGS = +/- 10V
n沟道型p沟道的n沟道的p沟道的n沟道的p沟道
漏源导通电阻
漏源电压
漏电流（连续）
总栅极电荷
生产厂家
0.022
30
8.4
9
飞兆半导体
0.053
-30
-5
8
飞兆半导体
0.053
30
4.9
8
日前，Vishay
Siliconix公司
0.08
-30
-3.9
10
日前，Vishay
Siliconix公司
0.10
25
3.5
9.4
0.25
-25
-2.3
10
VDSS （ V）
ID （连续） （A ）
Q
g
（典型值） （ NC ）
MOSFET组件选项
版权
©
2000
修订版1.1 ， 2000-12-01
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整流器器
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