产品DATABOOK 1996/1997
LX1668
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ROGRAMMABLE
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过电流保护（ OCP）和打嗝
的过电流保护功能被触发时，电感
器的电流超过其最大极限值。的电流被感测的
在与电感器串联的电阻器。当电压
穿过传感电阻超过60mV的阈值时，所述OCP
比较器输出一个信号来复位PWM锁存器和启动
打嗝模式。软启动电容，C
SS
，慢慢地排出
（10倍以上时，被充电的R慢
SS
） 。当
电压的SS / ENABLE引脚达到0.3V阈值时，打嗝
再次完成和电路的软启动。期间打嗝，顶
MOSFET关断和底部MOSFET保持接通。
软启动期间打嗝被禁用，允许
电路与最大电流启动。如果上升速度
的输出电压是太快了，所需的充电电流
输出电容可以比极限电流更高。在这
情况下，峰值电感电流调节到极限电流
由电流检测比较器。高端MOSFET导通
在受控关断时间和结束时关闭该
电感器电流达到极限。如果电感电流仍
到达软启动结束后其极限时，打嗝时触发
再次。打嗝确保双方的平均发热体
MOSFET的平均电流是远小于在
正常操作中，如果输出有短路。
过电压保护（ OVP ）
输出电压的固有保护，过电压
因为峰值电压控制机构的情况。
每当V
FB
端子电压比所设定的电压更高
为40mV ，高端MOSFET关断，底部MOSFET的
接通。在该故障状况发生时，其中所述壳体
过电压保护（ OVP ）
（续）
输出电压超过117 ％的V
SET
阈值，则过压保护
比较器将OVP引脚拉至2伏特。该OVP引脚
一个40毫安源电流能力，因此它可以被用来触发
SCR撬棍或关闭主电源。
关断时间控制和开关频率
一个内部定时器控制高端MOSFET使关断时间
下稳态开关频率为200kHz的恒定
工作状态。计时器开始计时，一旦PWM锁存器
复位和重新设置PWM触发器当在关断时间结束。
关断时间被控制为：
T
关闭
= 5微秒（ 1 -V
OUT
/V
CC5
)
对于降压转换器，开关频率是
f
SW
= (1- V
OUT
/V
CC5
)/T
关闭
因此，开关频率是接近恒定的稳定
工作状态。在瞬态负载，顶驱可
保持接通或切断，直到输出电压在
规格（见图5） ，以降低瞬态响应
时间。
电源良好输出
集电极开路输出， PWRGD ，提供指示
的输出电压的状态。 PWRGD呈现高阻抗
当切换器输出电压在其置位电压的± 10％的
和固定的2.5V内部LDO稳压器的输出高于2.0V 。
否则， PWRGD呈现低阻抗的接地路径。
热门FET驱动器
输出电压
（ 2.8V设置点）
13A负载瞬态
（在390ns ）
V
IN
= 5V, V
OUT
= 2.8V ，L
OUT
= 5μH ，C
OUT
= 3× 1500μF ， F = 200kHz的
图5
- 前FET驱动器在瞬态负载条件
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版权所有©1999
1.0版4/99
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